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[期刊论文] 作者：张阳,吴军,木胜,左大凡,李东升,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制,采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化,研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表...
[期刊论文] 作者：杨超伟,李京辉,王琼芳,封远庆,杨毕春,左大凡,,
来源：红外技术 年份：2016
利用湿法回流缩球的技术，使铟柱回流成铟球。在研究中心距为30um、面阵为320×256的读出电路在回流缩球的过程中遇到了3种异常现象，即铟球体积异常、铟球桥接和铟球偏离中...
[期刊论文] 作者：覃钢,李东升,李雄军,李艳辉,王向前,杨彦,铁筱莹,左大凡,,
来源：红外技术 年份：2016
研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术,研究了原位p-...
[期刊论文] 作者：覃钢,李东升,李艳辉,杨春章,周旭昌,张阳,谭英,左大凡,齐,
来源：红外技术 年份：2015
报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果,进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究;分析了As束流对材料晶体质量的影响,结合SIMS测试技术得到了As杂质...
[期刊论文] 作者：覃钢,李东升,李艳辉,杨春章,周旭昌,张阳,谭英,左大凡,齐航,,
来源：红外技术 年份：2015
报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果,进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究;分析了As束流对材料晶体质量的影响,结合SIMS测试技术得到了As杂质...
[期刊论文] 作者：覃钢,李东升,李雄军,李艳辉,王向前,杨彦,铁筱莹,左大凡,薄俊,
来源：红外技术 年份：2016
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[期刊论文] 作者：覃钢,李东升,李雄军,李艳辉,王向前,杨彦,铁筱莹,左大凡,薄俊祥,,
来源：红外技术 年份：2016
研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术,研究了原位p-...
[期刊论文] 作者：杨超伟,闫常善,王琼芳,李京辉,韩福忠,封远庆,杨毕春,左大凡,,
来源：红外技术 年份：2016
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[期刊论文] 作者：杨超伟,封远庆,李东升,李宁,赵永强,舒畅,辛永刚,李永亮,左大凡,唐遥,
来源：红外与激光工程 年份：2021
针对隐身等多类高价值目标精确探测与识别以及探测技术持续发展需求,为实现复杂战场环境下的高概率真假目标识别和高精度目标检测、定位、跟踪,开展复杂战场环境下隐身及微弱...
[期刊论文] 作者：杨超伟,闫常善,王琼芳,李京辉,韩福忠,封远庆,杨毕春,左大凡,赵丽,俞见云,,
来源：红外技术 年份：2016
制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发...
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