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[学位论文] 作者：巩全成,,
来源：兰州大学 年份：2006
SiC具有独特的物理性质和电学性质,是实现高温与高功率、高频、抗辐射相结合器件的理想材料,在国防和经济建设中具有广泛的应用前景。本文对SiC器件制备中的一些重要工艺作了...
[学位论文] 作者：巩全成,,
来源：西北工业大学 年份：2016
在深井和超深井勘探开发过程中,广泛存在粘滑振动现象,不仅造成机械钻速降低,驱动能量大量浪费,而且会加速钻具老化和失效,严重威胁钻井安全。近年来,国外学者对钻井中粘滑振...
[期刊论文] 作者：巩全成,,
来源：昌潍师专学报 年份：1997
一、图书馆统计系统化与规范化的含义'系统'是指具有有特定功能的,相互间具有有机联系的许多要素所构成的一个整体,它都具有三个特点:①由若干部分(或要素)以一...
[期刊论文] 作者：巩全成,吴亚锋,李江红,,
来源：计算机工程 年份：2012
传统的串口网口转换装置采用纯硬件实现,虽然具有数据传输速度快的优点,但功能单一、灵活性差。为此,提出一种基于ARM9平台的嵌入式系统来实现接口转换。硬件采用MOXAUC-7101,应用程序在μCLinux下开发,通信遵守modbus协议,实现在UC-7101与上位机网络正常时数据......
[期刊论文] 作者：巩全成,吴亚锋,李江红,,
来源：测控技术 年份：2014
针对在石油钻井过程中存在的黏滑振动现象,提出一种以TMS320F2812 DSP为控制核心的黏滑振动控制系统。系统通过CAN总线与变频器通信,通过调节变频器转速来抑制黏滑振动。在系...
[期刊论文] 作者：马忠孝,巩全成,陈颖,王惠林,
来源：应用光学 年份：2018
以机载平台作为研究对象,通过分析光电侦察系统实现目标地理定位的原理,得出影响光电侦察系统目标地理定位精度的主要因素,即系统的位置误差、姿态误差、航向误差及侦察系统...
[期刊论文] 作者：巩全成,李江红,韩亮,吴亚锋,,
来源：计算机测量与控制 年份：2015
为了抑制粘滑振动和监控钻井过程,需要对钻井过程进行控制,并将钻井参数实时地传输至监控中心;文章提出了一种基于ARM和DSP的钻井控制和信息传输平台,DSP作为算法运算中心、...
[期刊论文] 作者：吴,巩全成,贾世星,王敏杰,张勇,朱健,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术.基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结...
[期刊论文] 作者：吴璟,巩全成,贾世星,王敏杰,张勇,朱健,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
三层键合Glass-Silicon-Glass（GSG）结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结...
[期刊论文] 作者：徐飞飞,杜言鲁,郑蕾,姜世洲,巩全成,王明超,
来源：应用光学 年份：2022
稳定精度作为光电吊舱的关键性能指标之一，开展瞄准线稳定精度测试方法研究对于光电吊舱测试与验收具有重要意义。结合粗精组合稳定光电系统，提出一种基于时/频域分析的稳定精度测试方法。通过采集随机振动环境下惯性速率传感器和光学补偿元件的角位置信号，基于信......
[期刊论文] 作者：孙国胜,王雷,巩全成,高欣,刘兴昉,曾一平,李晋闽,
来源：人工晶体学报 年份：2005
本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜...
[期刊论文] 作者：孙国胜,王雷,巩全成,高欣,刘兴日方,曾一平,李晋闽,,
来源：人工晶体学报 年份：2005
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描...
[期刊论文] 作者：王新伟,王惠林,韩瑞,杜言鲁,巩全成,任元斌,李涛,
来源：应用光学 年份：2021
针对二维陀螺平台方位瞄准线控制在过顶位置时因驱动轴和敏感轴存在非线性约束导致的不稳定问题,分析了不同类型扰动源对方位瞄准线稳定的影响及其随俯仰角变化的规律,提出了基于扰动源分类控制的过顶稳定方法.该方法采用反馈和前馈双通道复合控制结构,在过顶位......
[会议论文] 作者：巩全成,宁瑾,孙国胜,高见头,王雷,李国花,曾一平,李晋闽,李思渊,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气......
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