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[学位论文] 作者：席善学,
来源：中国科学院大学 年份：2019
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[期刊论文] 作者：王保顺,崔江维,郑齐文,席善学,魏莹,雷琪琪,郭旗,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2020
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多...
[期刊论文] 作者：姚帅,陆妩,于新,李小龙,王信,刘默寒,孙静,常耀东,席善学,
来源：原子能科学技术 年份：2019
利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有抑制...
[期刊论文] 作者：席善学,陆妩,郑齐文,崔江维,魏莹,姚帅,赵京昊,郭旗,
来源：电子学报 年份：2019
研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon on insulator)器件总剂量效应的影响.在 TG偏置下,辐照 130nmPD(部分耗尽,partiallydepleted)SOINMOSFET(N型金属氧化物...
[期刊论文] 作者：王利斌,姚帅,陆妩,王信,于新,李小龙,刘默寒,孙静,席善学,
来源：电子学报 年份：2020
本文研究了高、低电平输出偏置条件下双极电压比较器LM311的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)—单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)的协同效应.实验结果表明,高电平...
[期刊论文] 作者：席善学,郑齐文,崔江维,魏莹,姚帅,何承发,郭旗,陆妩,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2019
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成...
[期刊论文] 作者：王利斌,姚帅,陆妩,王信,于新,李小龙,刘默寒,孙静,席善学,郭旗,,
来源：电子学报 年份：2004
本文研究了高、低电平输出偏置条件下双极电压比较器LM311的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)—单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)的协同效应.实验结果表明,高电平...
[期刊论文] 作者：姚帅,陆妩,于新,李小龙,王信,刘默寒,孙静,常耀东,席善学,何承发,郭旗,,
来源：原子能科学技术 年份：2019
利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应.结果 表明,高电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有抑制...
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