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[期刊论文] 作者：平间恒,
来源：微电子学 年份：1981
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[期刊论文] 作者：平间恒,王秀春,
来源：微电子学 年份：1981
一、前言 硅放在空气中会氧化,在其表面生成SiO2膜,这种膜厚度一般是30～50埃,是空气中氧和硅进行反应的结果。进行高温加热时可以得到更厚的SiO2膜。 众所周知,这种硅氧...
[期刊论文] 作者：平间恒,辛永库,
来源：微电子学 年份：1982
对于硅片来说,当在其上制作出集成电路芯片以前,一面要在硅片上复盖各种物质,一面将根据需要再度分步清除。作为复盖在硅片上的物质主要有下面几种:二氧化硅(氧化膜),SixNy(...
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