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[学位论文] 作者：年夫雪,,
来源：上海大学 年份：2017
超大规模、超高速集成电路的迅速发展对硅单晶材料提出了愈来愈严格的要求,“大尺寸、高质量”成为目前硅单晶材料的发展趋势。半个多世纪以来,直拉法作为最常用的晶体生长方...
[期刊论文] 作者：年夫雪,黄嘉丽,邓康,任忠鸣,吴亮,,
来源：稀有金属 年份：2018
半导体单晶生长过程中伴随大量的空穴性和间隙性本征点缺陷,这些本征缺陷在单晶生长过程中随着晶体温度的降低不断复合或湮灭形成纳米级空洞型或位错、层错等缺陷,会对硅片质...
[期刊论文] 作者：年夫雪,邓先亮,邓康,任忠鸣,吴亮,,
来源：稀有金属 年份：2017
利用计算机模拟仿真技术对适用于生长18英寸直拉单晶硅的40英寸热场在水平磁场下的生长工艺进行三维模拟仿真计算,重点分析了不同强度水平磁场作用下熔体和晶体中的温度场分...
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