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[期刊论文] 作者：应明炯,
来源：激光与红外 年份：1993
本文描述了Ｐ型碲镉汞的阳极硫化过程。并对Ｘ－０．０２１２Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ进行了单层硫化锌和阳极硫化／硫化锌复合钝化，表明用复合钝化能提高二极管的Ｉ－Ｖ特性。...
[期刊论文] 作者：韦书领,应明炯,,
来源：激光与红外 年份：2008
随着大格式InSbFPA器件发展，像元间距越来越小，芯片总面积不断增加，对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求，原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求，主要体现在湿法横向刻蚀......
[期刊论文] 作者：贾宝军,应明炯,等,
来源：激光与红外 年份：2002
文中讨论了决定光导型探测器性能的主要因素。在理论分析的基础上，对低温单元光导InSb探测器的主要工艺参数进行了分析和估算。简单介绍研制结果。...
[期刊论文] 作者：贾宝军,应明炯,郑甦丹,张健,
来源：激光与红外 年份：2002
文中讨论了决定光导型探测器性能的主要因素。在理论分析的基础上 ,对低温单元光导InSb探测器的主要工艺参数进行分析和估算。简单介绍研制结果The paper discusses the ma...
[期刊论文] 作者：陈世达,林立,何先忠,应明炯,吴人齐,
来源：激光与红外 年份：1995
本文概要报导我们ＨｇＣｄＴｅＭＢＥ上作的最近进展。一批面积２．０－１６．６ｃｍ２，组份ｘ０．１８８－０．３０，载流子浓度７．８１×１０１４～１．０×１０１６ｃｍ－３，迁移率１．０×１０４～１．４５×１０５ｃｍ２ｖ－１．ｓ－１和ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）６４～１００ａｒｃｓｅｃ的Ｎ型原生ＨｇＣｄＴｅ外延膜已经得到，某些参数已接近或达到国外报导的典型值，并在国内首先研......
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