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[会议论文] 作者：Xue-Qin Lv,Xiao-Long Hu,Wen-Jie Liu,Jiang-Yong Zhang,Lei-Ying Ying,Bao-Ping Zhang,胡晓龙,刘文杰,张江勇,应磊英,张保平,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之...
[会议论文] 作者：Xiao-Long Hu,胡晓龙,Wen-Jie Liu,刘文杰,Jiang-Yong Zhang,张江勇,Xue-Qin Lv,吕雪芹,Lei-Ying Ying,应磊英,Bao-Ping Zhang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之间插入一层厚度为40 nm的Ta2O5层使得ITO置于光场的波节,这样谐振腔器件的Q值达到1720。进......
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