搜索筛选:
搜索耗时3.6346秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 23 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：廖梅勇,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2002
碳材料是当今材料科学最为活跃的前沿领域之一.碳原子变化的多样性使碳基薄膜材料有不同的结构,研究这样的一种材料不仅具有技术上的重要性,还具有物理上的意义.质量分离的低...
[期刊论文] 作者：廖梅勇,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2021
超宽禁带半导体β-Ga_2O_3的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga_2O_3薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga_2O_3在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实际应用提供了思路.......
[期刊论文] 作者：廖梅勇,张智,
来源：半导体技术 年份：1999
报道了金刚石膜的低电场、大电流阴极电流现象，总结了几种不同类型样品结构的发射机理，提出了增强发射电流、提高发射稳定怀的方法，综述了和种影响发射电流的因素，提出了较为统一......
[会议论文] 作者：廖梅勇,刘志凯,柴春,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
...
[会议论文] 作者：廖梅勇,刘志凯,张建辉,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
在高温下用低能离子束沉积了非晶碳膜，用原子力显微镜，Raman谱，俄歇深度谱对其生长机理进行了研究。...
[会议论文] 作者：王万录,廖克俊,廖梅勇,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
该文研究了CVD金刚石膜场发射性质。金刚石膜是利用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验研究表明，金刚石膜场发射阀值电压强烈的依赖于金刚石膜表面结构、杂质与缺陷和衬底材料...
[会议论文] 作者：王万录,廖梅勇,廖克俊,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
该文研究了CVD金刚石膜场发射性质。金刚石膜是利用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验研究表明，金刚石膜场发射阀值电压强烈的依赖于金刚石膜表面结构、杂质与缺陷和衬底材料。具有尖端表面场发射阀值电压低于平坦表面的值。......
[期刊论文] 作者：姚湲,廖梅勇,王占国,李述汤,
来源：电子显微学报 年份：2002
金刚石在很多领域有着广泛的用途[1],因而金刚石的生长技术历来受到重视.在众多的生长技术中,质量选择粒子束(MSIBD)是一个引人注目的生长技术[2].但是这一方法能否得到金刚...
[期刊论文] 作者：廖梅勇,张智,廖克俊,王万录,
来源：半导体技术 年份：1999
报道了金刚石膜的低电场、大电流阴极发射电流现象。总结了几种不同类型样品结构的发射机理。提出了增强发射电流、提高发射稳定性的方法。综述了各种影响发射电流的因素，提出......
[会议论文] 作者：杨少延;柴春林;刘志凯;廖梅勇;,
来源：第一届全国纳米技术与应用学术会议 年份：2000
采用低能O离子束辅助脉冲激光淀积(IBA-PLD)法进行ZnO薄膜外延生长研究。X射线衍射(XRD)结果表明，有低能O离子束辅助淀积，利用波长为532nm的Nd:YAG固体脉冲激光，在P-Si(111)衬底...
[期刊论文] 作者：柴春林,杨少延,刘志凯,廖梅勇,陈诺夫,
来源：科学通报 年份：2003
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce...
[期刊论文] 作者：王万录,张振刚,廖克俊,吴彬,张世斌,廖梅勇,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并......
[期刊论文] 作者：杨君玲, 陈诺夫, 刘志凯, 杨少延, 柴春林, 廖梅勇,,
来源：半导体学报 年份：2004
利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm...
[期刊论文] 作者：柴春林,杨少延,刘志凯,廖梅勇,陈诺夫,王占国,
来源：科学通报 年份：2001
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm,折射系数约为2.455.实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着“紫移”现象,其移动距...
[期刊论文] 作者：柴春林,杨少延,刘志凯,廖梅勇,陈诺夫,王占国,
来源：稀有金属 年份：2001
利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和...
[会议论文] 作者：刘志凯,廖梅勇,姚振钰,柴春林,杨少延,王占国,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
本文利用质量分离的低能离子束技术沉积得到了表面极为平整的类金刚石薄膜.样品用Raman谱和原子力显微镜进行了分析.并且研究了沉积能量对表面形貌和成分的影响....
[期刊论文] 作者：杨君玲, 陈诺夫, 刘志凯, 杨少延, 柴春林, 廖梅勇, 何宏,
来源：半导体学报 年份：2001
...
[期刊论文] 作者：杨君玲,陈诺夫,刘志凯,杨少延,柴春林,廖梅勇,何宏家,
来源：稀有金属 年份：2001
利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外...
[期刊论文] 作者：廖梅勇,秦复光,柴春林,刘志凯,杨少延,姚振钰,王占国,,
来源：物理学报 年份：2001
利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜.所用离子能量为50-200eV,衬底温度从室温到800℃.在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃...
[期刊论文] 作者：廖梅勇,张键辉,秦复光,刘志凯,杨少延,王占国,李述汤,
来源：物理学报 年份：2000
用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜 ,X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明 ,此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒 .碳离子的浅注入是该碳膜SP3 形成的主要...
相关搜索：
