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[学位论文] 作者：张亚嫚,,
来源：西安电子科技大学 年份：2014
本文系统地研究了基于微波功率放大器应用的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的耐压机理和相关的可靠性。重点分析了引起GaN HEMT击穿的两个主要机制：1)缓冲层漏电机制；2)栅极泄漏...
,Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thi
[期刊论文] 作者：马晓华,张亚嫚,王鑫华,袁婷婷,庞磊,陈伟伟,刘新宇,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
In this paper, the off-state breakdown characteristics of two different AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), featuring a 50-nm and a 150-nm GaN...
Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thic
[期刊论文] 作者：马晓华,张亚嫚,王鑫华,袁婷婷,庞磊,陈伟伟,刘新宇,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
In this paper,the off-state breakdown characteristics of two different AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs),featuring a 50-nm and a 150-nm GaN th...
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