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[学位论文] 作者：张山丽,,
来源：长春理工大学 年份：2010
掺Cr4+离子可调谐激光晶体的出现和固态可调谐激光器的成功运转,将固态可调谐激光器的调谐范围由0.7μm～1.0μm谱区扩展到了1.0μm～1.8μm谱区,该谱区包含了许多十分重要的波段...
[期刊论文] 作者：翟庆洲,张山丽,,
来源：冶金分析 年份：2008
在pH2．2的HCl-KCl缓冲介质中，Cr（Ⅲ）与对甲基二溴偶氮胂显色反应，形成一种稳定的紫红色络合物，络合物组成比为1：1，其最大吸收波长为612nm，表观摩尔吸光系数ε612nm=2．33×10^4L......
[期刊论文] 作者：张山丽,曾繁明,李春,刘景和,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
采用固相法合成Cr^4＋∶Ca2GeO4晶体原料,通过XRD分析确定了合成Cr^4＋∶Ca2GeO4多晶料的最佳温度,计算了Cr^4＋∶Ca2GeO4多晶料的晶格参数。XPS和荧光光谱分析表明多晶料中含有Cr^...
[期刊论文] 作者：贲建伟,孙晓娟,蒋科,陈洋,石芝铭,臧行,张山丽,黎大兵,吕,
来源：人工晶体学报 年份：2020
AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了...
[期刊论文] 作者：贲建伟,孙晓娟,蒋科,陈洋,石芝铭,臧行,张山丽,黎大兵,吕威,
来源：人工晶体学报 年份：2020
AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了...
[期刊论文] 作者：张山丽,曾繁明,王欣桐,李春,王成伟,张莹,林海,秦杰明,刘景和,,
来源：物理学报 年份：2010
采用助熔剂法,以CaCl2为助熔剂,生长Cr4+:Ca2GeO4新型近红外可调谐激光晶体.通过X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱、X射线光电子能谱(XPS)等方法对晶体进行结构表征.结果表明,...
[期刊论文] 作者：林海,张学建,王成伟,张莹,黄德馨,曾繁明,李春,张山丽,刘景和,,
来源：硅酸盐学报 年份：2009
采用提拉法生长出了钨酸铋钠[NaBi(WO4)2,NBW]、钨酸钇钠[NaY(WO4)2,NYW]和钨酸钆钠[NaGd(WO4)2,NGW]晶体。通过热重–差热分析(thermogravimetry–differential thermal ana...
[期刊论文] 作者：隋佳恩,贲建伟,臧行,蒋科,张山丽,郭冰亮,陈洋,石芝铭,贾玉萍,黎大兵,孙晓娟,
来源：发光学报 年份：2021
非极性a面AlN(a-AlN)能够从根本上解决极性AlN引起的量子限制斯塔克效应问题,是提升AlGaN发光器件效率的有效途径。但是,非极性AlN生长面临更大的挑战,目前难以实现低缺陷密...
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