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[期刊论文] 作者：王思爱,苏小平,张峰燚,丁国强,涂凡,,
来源：稀有金属 年份：2011
坩埚锥角是诱发VGF法GaAs单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一,应用数值模拟的方法对其进行了研究与探讨,研究发现,在晶体生长的放肩阶段,坩埚锥角为60°,90°,120°3种情况下,...
[期刊论文] 作者：涂凡, 苏小平, 张峰燚, 黎建明, 丁国强,,
来源：稀有金属 年份：2011
在VGF法生长6英寸GaAs单晶的实际生长过程中,坩埚与坩埚托之间难以实现完全的理想贴合。坩埚与埚托之间的空隙对晶体生长过程中的温场和固液界面形状影响较大。通过模拟计算5...
[期刊论文] 作者：丁国强, 苏小平, 屠海令, 张峰燚, 涂凡,,
来源：稀有金属 年份：2009
利用数值模拟和实验相结合的方法,研究了4英寸VGF GaAs单晶的生长。首先基于炉体结构和所采用材料,建立一个和真实单晶生长系统接近的炉体模型。根据此模型,采用晶体生长模拟...
[期刊论文] 作者：丁国强,苏小平,张峰燚,黎建明,冯德伸,,
来源：稀有金属 年份：2011
VGF技术生长单晶时温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一。采用数值模拟研究了VGF法6英寸低位错Ge单晶的生长,结果表明在采用自主...
[期刊论文] 作者：丁国强, 屠海令, 苏小平, 张峰燚, 涂凡, 王思爱,,
来源：稀有金属 年份：2011
晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标。VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度...
[期刊论文] 作者：涂凡,苏小平,屠海令,张峰燚,丁国强,王思爱,,
来源：稀有金属 年份：2010
采用数值模拟技术和Raman光谱法对4inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究。运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致。通过Ra...
[期刊论文] 作者：涂凡,苏小平,屠海令,张峰燚,丁国强,王思爱,,
来源：红外与激光工程 年份：2010
采用数值模拟技术模拟了10cm(4in)VGF法GaAs单晶生长过程中的温场分布、固液界面形貌以及热应力分布。推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的关系,定义...
[期刊论文] 作者：涂凡, 苏小平, 张峰燚, 黎建明, 丁国强, 王思爱,,
来源：稀有金属 年份：2004
采用专业晶体生长数值模拟软件C rysMas,模拟了垂直梯度凝固法(VGF)生长4英寸GaAs单晶过程中的固液界面形状,发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化。数值模...
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