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[学位论文] 作者:张希威,, 来源: 年份:2014
作为II-VI族半导体中的重要一员,宽禁带的ZnSe具有优良的光电性能,并且已经成功的被应用于各类光电子器件。针对ZnSe纳米材料的研究应用近年来也在如火如荼的开展,主要包括各种Z......
[期刊论文] 作者:张希威,, 来源:商场现代化 年份:2016
我国小微企业十分之多,但我国商业银行对小微企业提供的金融服务十分有限,其不仅限制了小微企业的发展,其对于商业银行业务的拓展也是分别不利,因此本文就针对商业银行小微企...
[期刊论文] 作者:张希威, 来源:现代营销 年份:2015
随着我国社会经济的不断变化,我国商业银行的经济效益也随之发生了变化.目前商业银行的竞争越来越烈,因此积极研究商业银行的经济效益变化趋势并不断拓展其业务以促进商业银...
[学位论文] 作者:张希威, 来源:合肥工业大学 年份:2011
由于准-维纳米结构有很大的比表面积,表面效应对其自身的电学、机械以及化学特性产生很大的影响,有研究发现由于表面吸附效应,碳纳米管具有负的光电导效应,即加光照电导降低,...
[期刊论文] 作者:张希威 孟丹, 来源:教育教学论坛 年份:2016
摘要:随着科技的发展,社会的进步,现代传媒走进了我们的生活,也无时无刻不影响着我们的生活。现代传媒以惊人的速度走进大学校园,成为大学生学习中不可或缺的一部分。现代传媒凭借丰富的内容,改变着大学生的思想以及心理,也影响着大学生思想政治素质的形成。因此,现代传......
[期刊论文] 作者:汤振杰,李荣,张希威, 来源:中国物理B:英文版 年份:2020
Designed ZrxSi1-xO2 films with combining bent and flat energy bands are employed as a charge trapping layer for memory capacitors.Compared to a single bent ener...
[会议论文] 作者:王柳;张希威;邵智斌;揭建胜;, 来源:中国化学会第29届学术年会 年份:2014
  类石墨烯材料二硫化钼是一种新型的二维原子材料.它不但具有石墨烯的一些优异性质,而且具有带隙(约1.3~1.8eV),可用做光伏、光电探测等领域.[1]目前用于研究的二硫化钼薄膜...
[期刊论文] 作者:于凤军, 杨玉鹏, 魏科伟, 张希威,, 来源:大学物理 年份:2019
本刊2018年第10期刊登了“带电厚椭球壳空腔内的电场”一文,文中研究的厚椭球壳是由非导体构成的,其内表面和外表面分别是二个共轴的、等偏心率的椭球面.该文仅计算其空腔内...
[期刊论文] 作者:于凤军, 田俊龙, 汤振杰, 张希威,, 来源:大学物理 年份:2020
首先建立了椭圆截面的圆环和扭圆环的数学模型,然后根据定义计算绕3个坐标轴的轴转动惯量和惯量积,其间充分利用截面图形的对称性对计算过程简化,得到一些有益的结论和结果....
[期刊论文] 作者:于凤军,汤振杰,田俊龙,张希威, 来源:大学物理 年份:2021
研究一个弹性球在保持体积不变的前提下,形变为长旋转椭球时的弹性势能.首先通过最小势能原理和物理条件确定位移函数,然后根据弹性势能密度-应变-位移三者之间的关系,通过积...
[期刊论文] 作者:胡丹,王红燕,汤振杰,张希威,鞠琳,王华英,, 来源:Chinese Physics B 年份:2016
A thin-flexible multiband terahertz metamaterial absorber(MA) has been investigated. Each unit cell of the MA consists of a simple metal structure, which includ...
[会议论文] 作者:揭建胜,于永强,张希威,吴翟,王莉,吴春艳, 来源:中国化学会第28届学术年会 年份:2012
一维半导体纳米结构具有独特的光电特性,在纳米光电探测领域具有重要的应用前景。其优点包括(i)纳米尺寸,适合器件小型化并具有纳米空间分辨率;(Ⅱ)单晶晶体质量,光电转换效率高;(Ⅱi)一维结构相关的偏振探测能力;(iv)表面及掺杂效应引起的高增益;(v )大比表面积,可通过......
[会议论文] 作者:揭建胜[1]于永强[2]张希威[1]吴翟[2]王莉[2]吴春艳[2], 来源:中国化学会第28届学术年会 年份:2012
  一维半导体纳米结构具有独特的光电特性,在纳米光电探测领域具有重要的应用前景。其优点包括(i)纳米尺寸,适合器件小型化并具有纳米空间分辨率;(Ⅱ)单晶晶体质量,光电转换效......
[会议论文] 作者:汤振杰,陆旭兵,杨玉鹏,张静,马东伟,李荣,张希威,胡丹,李廷先, 来源:2016第九届全国大学生创新创业年会 年份:2016
采用不同的(ZrO2)x(SiO2)1x薄膜(x=1.0,0.92,0.79,0.63,0.46,0.28,0.17和0.08)作为电荷存储层制备了电荷陷阱闪存器件.研究了存储窗口、数据保持性能及写入/擦除速度等存储性能对薄膜组分x的依赖关系.结果 表明,当x=0.63时,器件的性能最佳.±10V扫描电压范围,存......
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