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[会议论文] 作者：张建刚;夏善红;陈绍凤;宋青林;,
来源：第八届敏感元件与传感器学术会议 年份：2003
LPCVD SiN薄膜的热导率在微电子和MEMS器件的设计过程中都是一个重要的参数.当绝缘薄膜厚度与热能载子——声子的波长或相干常数(常温下约几百nm)相当甚至更小时,其热物性参...
[会议论文] 作者：张建刚,夏善红,陈绍凤,宋青林,
来源：第八届敏感元件与传感器学术会议 年份：2003
LPCVD SiN薄膜的热导率在微电子和MEMS器件的设计过程中都是一个重要的参数.当绝缘薄膜厚度与热能载子——声子的波长或相干常数(常温下约几百nm)相当甚至更小时,其热物性参数的尺寸效应将明显增强.通过我们开发的分布向上腐蚀法,成功的制作出镶嵌有NiCr/Ni热电......
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