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[会议论文] 作者:张彦昭;乔明;毛焜;张波;, 来源:四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份:2008
设计了一种基于BCD工艺的高压PMOS器件(LDMOS),本文通过理论分析和软件仿真,对传统PMOS器件的相关参数,包括漂移区浓度、场板长度等进行优化设计,获得了满足高功率BCD工艺电压电...
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