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[期刊论文] 作者：张心强,,
来源：东北之窗 年份：2015
大汶口文化,处于公元前4300年至公元前2500年,它是新石器时代后期父系氏族社会的典型文化形态。它以泰山地区为中心,东起黄海之滨,西到鲁西平原东部,北至渤海南岸,南及今...
[学位论文] 作者：张心强,,
来源： 年份：2011
随着CMOS集成电路的快速发展,器件的特征尺寸已进入了纳米量级。一方面,传统SiO2栅介质厚度的减小会导致很高的隧穿电流,阻碍其的应用,需要采用较高介电常数的栅介质(高k)薄...
[期刊论文] 作者：张心强,,
来源：东北之窗 年份：2015
活动信息单霁翔一行到泰安大汶口文化交流促进会视察指导应泰安大汶口文化交流促进会的邀请,文化部党组成员、故宫博物院院长、国家文物保护协会会长单霁翔在山东省领导...
[期刊论文] 作者：张心强,,
来源：东北之窗 年份：2015
泰安大汶口文化交流促进会促进会成立以来,不仅致力于整理保护大汶口文化遗存,而且让这一中华文明发扬光大,做了很多公益慈善工作,促进了和谐社会建设的发展。为了充分体现党...
[期刊论文] 作者：陈勇,杨志民,张心强,,
来源：稀有金属 年份：2011
用CeO2陶瓷靶材,使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上制备了CeO2薄膜。研究了衬底温度、沉积氧压对薄膜性能的影响,实验制备出了高度(111)取向的CeO2薄膜。使用X射线衍...
[期刊论文] 作者：赵鸿滨,屠海令,杜军,张心强,,
来源：稀有金属 年份：2012
采用脉冲激光技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶La2O3薄膜,制作并分析了Pt/La2O3/Pt堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的电阻转变特性。Pt/La2O3/Pt器件单元表现出了稳定的...
[期刊论文] 作者：彭书成,雷鸣,徐光波,张心强,徐亮,牛拥军,
来源：工程质量 年份：2020
针对大面积大体积水泥混凝土和沥青混凝土存在的质量通病,通过在普通水泥混凝土和沥青混凝土中掺加少量超高强改性聚酯合成纤维材料和超细晶陶瓷复合材料(以下简称“FC纤维、...
[期刊论文] 作者：田士法,毛昌辉,张心强,朱君,崔航,,
来源：功能材料 年份：2013
采用磁控溅射的方法制备了带有Ni保护层和Zr-Co-Re(Re代表稀土元素)主体层的堆栈层薄膜吸气剂。通过X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜吸气剂内部O元素的含量分布,研究了薄膜...
[期刊论文] 作者：李洋,张心强,朱君,徐瑶华,崔航,毛昌辉,,
来源：功能材料 年份：2014
采用粉末注射成形技术制备 Ti-Mo 合金吸气材料。研究了脱脂工艺对坯体质量、微观结构及其元件性能的影响。讨论了化学脱脂中的溶剂、温度、时间对坯体脱脂率的影响,较优的脱...
[期刊论文] 作者：贾士亮,张维佳,刘浩,张心强,郭卫,吴倞,
来源：电子元件与材料 年份：2009
通过对比NaOH／乙二醇和NaOH／异丙醇两种体系的优劣，进行不同腐蚀时间和温度下的绒面制备试验，得到了优化的绒面制备工艺和绒面纳米硅薄膜太阳能电池。结果表明：衬底具有完整规则的......
[期刊论文] 作者：张心强, 张维佳, 武美伶, 贾士亮, 刘浩, 李国华,,
来源：功能材料 年份：2007
在较高工作气压(332.5~399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)测试技术对...
[期刊论文] 作者：卜继国,毛昌辉,张艳,张心强,尉秀英,杜军,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2013
运用扫描电镜、扫描原子探针、X射线衍射仪和动态法分析了高硼硅玻璃表面改性对ZrCoRE薄膜结构和吸气性能的影响。结果表明,ZrCoRE薄膜的纳米组织受衬底表面的影响较大,其表...
[期刊论文] 作者：郭亿文,张心强,熊玉华,杜军,杨萌萌,赵鸿滨,
来源：稀有金属 年份：2004
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善...
[期刊论文] 作者：张心强,屠海令,杜军,杨萌萌,赵鸿滨,杨志民,
来源：稀有金属 年份：2004
以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为“cube-on-cube”,GDH薄膜与Ge(100)衬底的...
[期刊论文] 作者：郭亿文,张心强,熊玉华,杜军,杨萌萌,赵鸿滨,,
来源：稀有金属 年份：2012
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2(GDH)高k薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层。结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善...
[期刊论文] 作者：杨萌萌,屠海令,张心强,熊玉华,王小娜,杜军,,
来源：稀有金属 年份：2012
采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容...
[会议论文] 作者：闫兰琴,张维佳,丁照崇,金飞,张心强,武美伶,王天民,
来源：2006北京国际材料周暨中国材料研讨会 年份：2006
本文利用等离子体化学气相沉积的方法(PECVD)在ZnS基底上制备了组织成分可调(x值可调)的Ge1-xCx过渡层,其折射率随组分x的不同在2～4的范围内变化.对薄膜样品进行了X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)、FTS3000傅立叶红外光谱仪、WS-92涂层附着......
Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge (001) substrates with zero inte
[期刊论文] 作者：张心强，屠海令，魏峰，熊玉华，杨萌萌，赵洪滨，杜军，王文武，,
来源：稀土学报（英文版） 年份：2013
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Epitaxial growth and characterization of Gd_2O_3-doped HfO_2 film on Ge(001) substrates with zero in
[期刊论文] 作者：张心强,屠海令,魏峰,熊玉华,杨萌萌,赵洪滨,杜军,王文武,,
来源：Journal of Rare Earths 年份：2013
The GHO(Gd2O3-doped HfO2)films were epitaxially grown on Ge(001)substrates adopting cube-on-cube mode with zero interface layer using pulsed laser deposition(PL...
[会议论文] 作者：丁照崇,张维佳,金飞,闫兰琴,张心强,武美伶,贾士亮,王天民,
来源：2006北京国际材料周暨中国材料研讨会 年份：2006
本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜.研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响.通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射(XRD)及靶的电子能谱仪(EDX)对样品进行测试分析,得......
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