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[期刊论文] 作者：张秀澹,,
来源：电力电子技术 年份：1995
ＩＧＢＴ特性的测量方法张秀澹ＴｈｅＴｅｓｔＭｅｔｈｏｄｓｏｆＩＧＢＴ￥／／本文根据国际电工委员会（ＩＥＣ）的最新标准资料，扼要介绍了ＩＧＢＴ①栅极一发射极门槛电压；②栅极一发射极漏电流；③关断耗因功率、关断耗散能量②开通时间、开通延迟时间......
[期刊论文] 作者：张秀澹,,
来源：半导体情报 年份：1991
本文简要叙述高压集成电路、智能功率集成电路等功率集成电路的工艺、结构、特性以及它们的应用领域和应用实例。...
[期刊论文] 作者：张秀澹,,
来源：电子技术应用 年份：1980
前言电力半导体器件分硅整流管、硅晶闸管、硅功率品体管三大类。其中硅晶闸管又分为逆阻、逆导、快速、双向、可关断、光控、场控和温控等型式。但由于逆阻硅晶闸管发...
[期刊论文] 作者：张秀澹,,
来源：半导体技术 年份：1992
智能功率模块已从第一代发展到第三代。本文以绝缘门极晶体管模块(IGBT模块) 为例,介绍智能功率模块(IPM)的发展概况。...
[期刊论文] 作者：张秀澹,
来源：国外电力电子技术 年份：1989
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[期刊论文] 作者：张秀澹,,
来源：半导体技术 年份：1989
自1980年日本铃木等发表MCZ(加磁场直拉)硅单晶以来,经过6年多的努力,MCZ硅单晶用作半导体器件的基片已占有巩固的地位....
[期刊论文] 作者：张秀澹,,
来源：电子技术 年份：1965
少数载流子寿命、电阻率以及腐蚀斑点是衡量半导体材料品质的主要因素.对于硅来说,由于表面复合速度高,电阻率变化范围大,因此寿命的各种测量方法都很难达到一致.目前测...
[期刊论文] 作者：张秀澹,
来源：半导体技术 年份：1993
本文扼要地介绍了新型电力半导体器件SIT和SITH的研制、生产和应用的发展情况.说明SIT和SITH已从试制阶段进入实用化阶段....
[期刊论文] 作者：张秀澹,
来源：半导体技术 年份：1991
本文主要介绍1989年至1990年的两年中IGBT的新进展,特别是IGBT应用的新进展,以说明IGBT不仅是电力半导体器件中的热门器件,而且已开始进入实用化阶段。...
[期刊论文] 作者：张秀澹,
来源：半导体技术 年份：1990
一、前言 1984年,美国B.T.Baliga等首先发表绝缘门极双极晶体管IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)。由于IGBT兼备有MOSFET的高输入阻抗、快速性和双极达林顿晶体...
[期刊论文] 作者：张秀澹,
来源：国外电力电子技术 年份：1991
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[期刊论文] 作者：张秀澹,
来源：半导体技术 年份：1994
静电感应晶闸管是一种接近理想的功率开关器件，它是解决当前发电，输电，电力变换和损耗的关键器件。本文主要介绍静电感应晶闸管的应用范围和它在高压直流输电，感应加热和熔炼，铜蒸......
[期刊论文] 作者：张秀澹,
来源：半导体技术 年份：1992
开关电源按变流电路方式可分为脉冲宽度、调制变流器和谐振型变流器,它们广泛应用在产业和民用电子机器中,美国预计1992年将销售32亿美元,日本目前开关电源市场规模己达2000...
[会议论文] 作者：张秀澹,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第三届年会 年份：1986
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[期刊论文] 作者：张秀澹,,
来源：电子技术 年份：1965
一般地说,牛导体材料电阻率用直流二探针或交流、直流四探针方法来测量,但都需事先研磨样品表面,且将金属探针压在样品表面上,这样不但破坏了样品的原形,而且引起严重的沾污...
[期刊论文] 作者：petti,CT,张秀澹,
来源：国外电力电子技术 年份：1990
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[期刊论文] 作者：Diva.,DM,张秀澹,
来源：国外电力电子技术 年份：1989
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[期刊论文] 作者：Somo.,IL,张秀澹,
来源：国外电力电子技术 年份：1989
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[期刊论文] 作者：Tem.,VAK,张秀澹,
来源：国外电力电子技术 年份：1990
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