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[学位论文] 作者:张迎俏, 来源: 年份:2017
新型阻变存储器(RRAM)因其高存储密度、低功耗、结构简单且可与CMOS工艺相兼容等优点被公认是下一代非挥发性存储器之一。铁酸铋作为具有阻变效应的材料之一,因其大的高低阻比与非挥发性,且同时兼具铁电性、介电性、磁电耦合特性等而备受世界瞩目。目前铁酸铋薄......
[会议论文] 作者:张迎俏,朱慧,汪鹏飞,孟晓,陈月圆, 来源:第8届无机非金属材料专题研讨会 年份:2016
[期刊论文] 作者:朱慧,张迎俏,汪鹏飞,白子龙,孟晓,陈月圆,祁琼,, 来源:北京工业大学学报 年份:2017
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数...
[期刊论文] 作者:朱慧, 张迎俏, 汪鹏飞, 白子龙, 孟晓, 陈月圆, 祁琼, 来源:硅酸盐学报 年份:2004
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者:陈月圆,朱慧,张迎俏,汪鹏飞,冯士维,郭春生,, 来源:中国科技论文 年份:2015
为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理,本文对PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持损失和印记特性的变化进行了研究。研究结果......
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