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[会议论文] 作者：张银珠;吕建国;叶志镇;汪雷;赵炳辉;,
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
ZnO是一种新型的宽禁带直接带系半导体材料,为极性半导体,呈n型.本文以NH为掺杂源,利用直流反应磁控溅射技术成功制备出了p型ZnO薄膜,并研究了气氛中不同的NH含量[NH/(NH+O)=...
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