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[学位论文] 作者：彭美发,,
来源：中国矿业大学 年份：2004
ZnO的热稳定相为纤锌矿结构,它是一种宽禁带的Ⅱ-Ⅵ族氧化物直接帯隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV。具有低介电常数、大光电耦合系数、激子束缚能高达60meV、化学稳定...
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