搜索筛选:
搜索耗时1.2951秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 52 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：彭龙新,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
利用0.25μmGaAsPHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器。第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源＋5V工作,测得在26～40GHz范围内,增益G=10±0...
[会议论文] 作者：彭龙新,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文指出了滤波器的设计结果与测试结果之间产生很大频率偏差的原因.最主要的原因是学生们认为滤波器中所用的片状电容是理想电容.但事实是片状电容有寄生效应.我们通过一种...
[期刊论文] 作者：彭龙新,李建平,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
推导了反馈电路理论，利用0．25μm GaAs PHEMT工艺，研制了两种并联反馈单片低噪声放大器。第一种放大器的工作频带为6～18GHz，测得增益G≥21dB，带内增益波动△G≤±1．0dB，噪声系数N......
[会议论文] 作者：彭龙新,孙毅,
来源：2000全国第八届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2000
本文简述了一种新型X波段单片自保护低噪声放大器的设计.此低噪声放大器与一般的低噪声放大器不同,它由保护电路,采样检波电路和主放大器三部分组成.当输入电平＜-7dbm时,...
[期刊论文] 作者：陈坤,彭龙新,李建平,,
来源：电子与封装 年份：2010
采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别所在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以trifor...
[期刊论文] 作者：凌志健,彭龙新,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
介绍了一种基于0.15μm GaAs pHEMT功率工艺的K波段收发一体多功能芯片。该多功能芯片包含了功率放大器和低噪声放大器及收发开关。接收支路19.6~23.0GHz内增益大于23dB,增益...
[期刊论文] 作者：刘石生,彭龙新,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
利用0.15μm GaAs E/D PHEMT工艺研制了一款C-X波段多功能MMIC芯片,集成了2个驱动放大器、1个6位数控移相器、1个6位数控衰减器、4个单刀双掷开关、数字驱动器、均衡器和增益...
[期刊论文] 作者：彭龙新,张斌,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
利用国内先进的0．6μm数字Si-MOS工艺，设计了射频MOSFET，并研究了其DC和微波特性：I－V曲线、S参数、噪声参数和输出功率。研究发现，数字电路用Si MOSFET的频率响应较高：频率为1GHz时......
[期刊论文] 作者：彭龙新,魏同立,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
报道一种新型X波段0.25μmPHEMT全单片集成低噪声子系统，该子系统由开关衰减电路，采样检波电路和低噪声放大器三部分组成。开关插入损耗仅0.5dB，放大器噪声系数小于1.5dB。当开...
[会议论文] 作者：彭龙新;李建平;杨乃彬;,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
使用0.25 μm GaAs PHEMT工艺技术和电路反馈技术,设计和制造了两级并联反馈单片低噪声放大器.在放大器的工作频带26-36 GHz内,测得两级放大器增益G≥10.5 dB,带内增益波动△...
[期刊论文] 作者：彭龙新, 李真, 翟明,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：张闻辉,俞土法,彭龙新,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
随着砷化镓单片集成电路的发展,微波无源、有源单片电路的使用范围越来越广泛。南京电子器件研究所已研制出一种砷化镓单片窄带s波段滤波器。芯片尺寸为5mm×4mm×0.1mm。3dB...
[期刊论文] 作者：彭龙新,林金庭,魏同立,
来源：电子学报 年份：2004
由电路和噪声基本定义出发,导出了二端口网络的噪声相关矩阵的转移表示式和导纳表示式.并推导了两个二端口网络的级联和并联后的噪声相关矩阵.然后在此基础上得出了并联反馈...
[期刊论文] 作者：贾晨阳, 韩方彬, 彭龙新,,
来源：电子元件与材料 年份：2019
研制了一款毫米波(26～40 GHz)平衡式单片放大器芯片。放大器基于0. 15μm GaAs pHEMT工艺,实现了毫米波全频段(26～40 GHz)增益放大。采用Lange桥平衡结构,使放大器较于单边放大...
[期刊论文] 作者：彭龙新,林金庭,魏同立,
来源：稀有金属 年份：2004
报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,...
[期刊论文] 作者：彭龙新,杨乃彬,林金庭,,
来源：电子学报 年份：2006
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出...
[期刊论文] 作者：彭龙新,李建平,李拂晓,杨乃彬,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
使用0．25μm GaAs PHEMT工艺技术，设计和制造了性能优良的5-22 GHz两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GHz内，测得增益G≥18dB，带内增益波动ZxG≤±0．35dB，噪声系数...
[期刊论文] 作者：彭龙新,林金庭,魏同立,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
报道一种新型 X波段 0 .2 5 μm PHEMT全单片集成低噪声子系统。该子系统由开关衰减电路、采样检波电路和低噪声放大器三部分组成。开关插入损耗仅 0 .5 d B,放大器噪声系数...
[期刊论文] 作者：彭龙新,李建平,林金庭,魏同立,
来源：稀有金属 年份：2004
报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(V...
[期刊论文] 作者：刘昊,彭龙新,牛超,凌志健,,
来源：电子与封装 年份：2017
研制了一款Ku波段GaN单片低噪声放大器,该放大器采用了GaN 0.25μm Ku功率工艺,工作电压为10 V。在12-18 GHz频带内,噪声NF≤2.9 d B,增益G≥20 d B,输入驻波比VSWR1≤1.8,输...
相关搜索：
