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[会议论文] 作者：徐帆;傅春晓;,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
随着应用领域的不断扩大，BCD工艺所受的关注度日益增加。相对于低压CMOS部分，高压DMOS的研发与设计更具有挑战性。而HV-MOSFET的源漏击穿电压和导通电阻则是器件设计者首要考虑...
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