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[学位论文] 作者：徐昌发,
来源：西安电子科技大学 年份：2002
SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性,因此成为制作高温、高频、大功率器件的理想半导体材料.该文主要研究SiC场效应晶体管...
[期刊论文] 作者：徐昌发,,
来源：上海建设论苑 年份：1996
沟通,是指人们之间传递思想、观念、意见、情感或交换情报、信息,从而影响他人的思想和行为的过程。它是行政管理不可缺少的重要环节,也是干部工作者的基本功。只有通过多渠...
[期刊论文] 作者：徐昌发,陈莉,,
来源：小学教学参考 年份：2007
新加坡的双语制度成功地架起了新加坡与其他国家沟通的桥梁,同时也保留了自己的民族文化。新加坡政府规定,英语是新加坡的共通语言,第二语言是各民族的母语,即华族的华语...
[期刊论文] 作者：年继业,徐昌发,,
来源：上海建设论苑 年份：1994
按照中共上海市委关于加强中青年干部和紧缺人才培养的意见,市建设党委从本系统实际出发,提出了在近期内建立起100名党政复合型后备人才、200名城市建设后备人才、300名...
[期刊论文] 作者：徐昌发,杨银堂,
来源：微电子学 年份：2002
介绍了SiC MESFET器件的技术和性能.用SiC材料制造的MESFET的射频功率密度达到4.6 W/mm,功率增加效率(PAE)达到65.7%,击穿电压超过100 V,表明SiC器件具有高功率密度和高效率,...
[期刊论文] 作者：徐昌发,杨银堂,朱磊,
来源：半导体技术 年份：2002
对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流...
[期刊论文] 作者：徐昌发,杨银堂,刘莉,
来源：物理学报 年份：2002
对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化...
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