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栅耐压26V,最大漏电流400mA的GaAs异质结FET
[期刊论文] 作者：戴双铮, 来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
据日本《日经工卜夕1、口二夕又》1993年第573期报道,日本NEC公司研制成栅宽1mm,最大漏电流400 mA,栅耐压26 V的AlGaAs/InGaAs/GaAs异质结FET,并计划在1994年使其产品化,应用...
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