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[期刊论文] 作者：戴富贵,,
来源：电子元件与材料 年份：1993
军用电子设备中阻容元件的可靠性对整机可靠性的影响很大。国外(主要是美国)在可靠性评估和可靠性管理方面取得了新的进展。本文介绍了国外军用阻容元件目前达到的可靠性水平...
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1992
本文叙述了国外军用片式阻容元件的发展概况,从生产和技术上总结了片式阻容元件的特点,指出了其发展趋势。...
[期刊论文] 作者：戴富贵,,
来源：数学学习与研究 年份：2019
数学与人类发展和社会进步息息相关,随着现代信息技术广泛应用于社会和日常生活.数学是客观现象抽象概括而逐渐形成的科学语言与工具,不仅是自然科学和技术科学的基础,而且在...
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1994
在军用电子设备所用的电容器中,陶瓷电容器数量最多,几乎各部分电路都要用陶瓷电容器,因而陶瓷电容器的可靠性对于保证军用电子没备的可靠性具有十分重要的意义。 按照...
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1994
电子设备表面安装技术（ＳＭＴ）和小型化的进展，促使电子元件包括陶瓷电容器的片式化率不断提高，尺寸不断缩小。提高瓷的介电常数，减小介质层的厚度，保持电极可靠的接触及降低瓷料的焙烧温......
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1991
本文叙述了国外有机介质电容器为适应整机要求在工艺和生产技术方面的进展情况。特别着眼于卷绕、干燥、浸渍、端面喷金属、打标志、测量、激光烧边等工序,比较详尽地介绍了...
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1989
本文从电容器的基本原理出发,阐明了提高储能电容器能密度的途径。综述了有机介质储能电容器的进展情况,介绍了日本KF膜的性能,报道了美国麦克斯韦实验室把聚偏二氟乙烯薄膜...
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1994
在国外的片式元器件（ＳＭＤ）外，片式阻容元件发展最快，主要表现为片式化率迅速上升，尺寸越来越小，性能越来越好，包装形式多样化和生产管理不断改进。本文综述了国外阻容元件在这些方面的进......
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件 年份：1995
近几年来，国外阻容元件稳定发展；新产品产量上升，老产品产量下降，我国却以三年翻一翻的高速度发展。但仍远远落后于发达国家，本文还综述了近几来国外容元件在片式化，小型化，高性能化......
[会议论文] 作者：戴富贵,
来源：中国电子学会电子元件学会第七届学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：戴富贵,
来源：中国电子学会电子元件学会及阻容元件专业情报网第六、七届年会 年份：1988
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[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1989
本专利描述了多层陶瓷电容器经济、可靠的制造方法。这种方法与电极是否由贵金属或其合金制造无关。电极是厚度低于10μm的致密薄金属层,喷在中间载体(薄膜)上,电极同介质陶...
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1990
为了制造微电子元件的多层基片和混合集成电路的涂覆层,采用热塑性液晶聚合物(温度360～400℃)和全芳香聚酯、聚酰胺酯、聚碳酸酯、聚酰胺酰亚胺酯、聚酰亚胺In order to ma...
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1987
当提高安装密度时,导线间的距离很近,电路基片上很难钻安装孔,在多层电路基片的情况下更难办。本文提出了混合集成电路的平面结构,为了将它安装在电路基片上,不需要钻孔。微...
[期刊论文] 作者：戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1991
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[期刊论文] 作者：谢廉忠,戴富贵,
来源：电子元件与材料 年份：1992
混合电路的热耗散受散热结构、封装结构、基片材料、环境和其他因素的影响,也与电路耗散的功率值有关。用不同尺寸的电阻器和电路基片的面积比值来联系功率密度和温升,可预测...
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