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[会议论文] 作者：方昭訓, 王梓育, 戴明鳳,,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[会议论文] 作者：方昭訓,王梓育,戴明鳳,
来源：中国颗粒学会超微颗粒专委会2013年年会暨第八届海峡两岸超微颗粒学术研讨会 年份：2013
利用磁控共濺鍍法在p-type Si (100)上沈積Cu(CoN)合金薄膜,並利用RTA在N2/H2(5％)氣氛下300-700℃熱處理持温10與30分鐘,合金薄膜並以FPP測量片電阻值、利用SEM觀察表面形貌、XRD分析晶體結構、附著性測試評估薄膜附著性、TEM觀察界面擴散情形、VSM量測薄膜磁性......
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