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[会议论文] 作者：李丽华,扈焕章,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：徐秋霞,龚义元,张建欣,扈焕章,汪锁发,李卫宁,
来源：半导体学报 年份：1994
本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层......
[期刊论文] 作者：刘新宇,孙海峰,陈焕章,扈焕章,海潮和,刘忠立,和致经,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2001
对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术...
[期刊论文] 作者：刘新宇,孙海峰,刘洪民,陈焕章,扈焕章,海潮和,和致经,吴德馨,
来源：半导体学报 年份：2003
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片...
[会议论文] 作者：海潮和;刘新宇;韩郑生;刘洪民;孙海峰;周小茵;陈焕章;扈焕章;,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文对一种CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1K×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级...
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