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[学位论文] 作者：施小康,
来源：北京大学 年份：2004
当微电子工业进入深亚微米时代以后,无论是栅工程、沟道工程、还是源-漏工程,对材料的掺杂都是其中的关键技术.形成高质量的超浅结对于整个器件的性能都是极其重要的.在这个...
[报纸论文] 作者：郑弋, 施小康,
来源：江苏法治报 年份：2020
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[期刊论文] 作者：吴锦瑶,施小康,
来源：铁道通信信号 年份：1992
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[期刊论文] 作者：施小康,石浩,于民,黄如,张兴,
来源：北京大学学报：自然科学版 年份：2004
提出了一种用于分子动力学(MD)模拟晶体靶材料中离子注入的加速算法。READE(包含剂量效应的稀有事件算法)方法可以很好的加速含剂量效应的离子注入的分子动力学模拟。在保证...
[期刊论文] 作者：施小康,于民,石浩,黄如,张兴,
来源：半导体学报 年份：2004
在CMOS工艺超浅结形成过程中，中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成．文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析，这种影响......
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