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[会议论文] 作者：景微娜[1]郝秋艳[2]解新建[2]刘彩池[2]冯玉春[3],
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
在各种GaN生长技术中,MOCVD法是目前使用较多、外延质量较高的一种外延方法。本文研究了一种衬底处理技术对MOCVD外延生长GaN薄膜中应力的影响。本实验在外延生长前用磷酸对...
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