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[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
Ｔ／Ｒ组件的高密度微波封装据《１９９５ＩＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇｅｓｔ》报道，休斯飞机公司的ＪｏｈｎＷｏｏｌｄｒｉｄｇｅ开发出一种Ｘ波段有源阵列雷达用Ｔ／Ｒ组件的低成本三维高密度微波封装（ＨＤＭＰ）技术。该项目主要集中在多层氮化铝（ＡＩＮ）衬底的设计、...High-Dens......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：光电子技术 年份：1996
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[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
Ｋａ波段ＧａＡｓＨＢＴＰＩＮ二极管开关和移相器在要求开关速度快、功率处理能力强的微波电路领域，ＰＩＮ二极管的工艺简单，用ＨＢＴ材料体系中的基区层（ｐ＋）、集电区层（ｎ－）和集电区第二层（ｎ－）就可容易地制成，因而使含有开发、移......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：光电子技术 年份：1997
据报道，松下电气工业有限公司从1996年3月21日开始，已在市场上推销一种宽屏幕的直流等离子体显示板(DC-PDP)。...
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：光电子技术 年份：1995
据《JEE》1995年第343期报道，为了满足超VGA标准的要求，Kyocera公司研制成一种KCS8060CSTT－X4型超扭曲向列型（STN）彩色LCD。此产品是最轻、最薄、工业功耗最低的样品之一。它的重...
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
大批量商用高性能２．４ＧＨｚ收发机电路装置据（ｌＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｗａｖｅＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＣｉｒｃ．Ｓｙｍｐ．）报道，为了满足工业、科学和医学界对２．４～２．４８３ＧＨｚ收发机电路装置（ｃｈｉｐ－ｓｅｔ）的...High-volume commercial high-performance 2.4GHz transceiver circuit devices......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
小型化微波和毫米波发射机据（．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｆ．｝１９９３年第６期报道，１９９１年美国空军与诺思罗普电子系统子公司签订合同，研制两种高度小型化的发射机——微波功率组件（ＭＰＭ）。这两种组件都直接用于电子干扰和雷达设备......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
推《1996IEEEMTT－SInt．MWSymP．Dig．》报道，IchihikoToyoda等人用三维（3D：MMIC工艺开发出了无绳通信系统用的高集成度接收机和发射机，两者的频率分别为9·2－12GHZ和9．5—14GHZ，增益20dB。......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：光电子技术 年份：1996
据报道，日本夏普电子公司推出了LJ64K051和LJ64K052两种型号的新式平板显示器。这两种显示装置在亮度、对比度和牢度等方面均设有新的标准，其水平视角为160o，两者的分辨率均为VG...
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
硅单片集成毫米波发射机毫米波单片集成收发机是汽车传感器的关键部件。（（ＩＥＭＴＴ》１９９５年第７期报道，ＡＸ－ｅｌＳｔｉｌｌｅｔ等开发出一种硅单片毫米波发射机。芯片由一个ＩＭＰＡＴＴ二极管和一个２．９７ｍｍＸ１．９７ｍｍ的槽线谐振器构成，该谐振器同时......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
７５～１１０ＧＨｚＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ高增益ＭＭＩＣ放大器毫米波ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＰＨＥＭＴ已在通信、雷达、灵巧武器、电子战和辐射测量系统等方面获得广泛应用。近来，以ＰＨＥＭＴ为基础的工艺技术已取得令人瞩目的进展，因而能在兼顾高性能的情...75 ~ 11......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
Ｗ波段多功能ＭＭＩＣ据《ＩＥＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒ－ｗａｖｅＭｏｎｏｌ．Ｃｉｒｃ．ＳｙｍＰ．）报道，美国通信卫星实验室的Ｈ．Ｃ．Ｈｕａｎｇ等在同一块芯片上用两种不同的材料研制成一种新的９４ＧＨＺ多功能ＭＭＩＣ。该电路...W-band multi-function MMIC According to "IEEE1994 Microwa......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
１２０ＧＨｚＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＩＡｓ／ＩｎＰＨＥＭＴＬＮＡ在雷达、辐射计、遥感和成象等系统的应用方面，Ｄ波段（１１０～１７０ＧＨＺ）高性能接收机的发展有着重要意义。据《ＩＥＥＥＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＧ．Ｗ．Ｌ．）｝１９９４年第６期报道，Ｒ．Ｌａｉ...120GHzInGaAs / InAIAs / InPHEMTLNA The development of D-band (1......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
１．８ＧＨｚ下功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ的４Ｈ－ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ据《ＩＥＥＥＥ．Ｄ．Ｌ．》第１５卷第１０期报道，ＣｈａｒｌｅｓＥ．Ｗｅｉｔｚｅｌ等已研制成一种４Ｈ－ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ。采用４Ｈ－ＳｉＣ是由于它比６Ｈ－ＳｉＣ高出两倍的电子迁移率。器件的...4H-SiCMESFET with a Power Density of 2.8 W / mm at 1.8 GHz Accord......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
用Ｉｎ_（０．５）Ａｌ_（０．５）Ｐ作发射区的新型ＧａＡｓＨＢＴ近年来，异质结双极晶体管（ＨＢＴ）在高速电路中的应用已引起广泛重视。据《ＩＥＥＥＥＤＬ》第１５卷１期报道．Ｊ．Ｍ．Ｋｕｏ等用气源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术首次生长出了Ｉｎ０．５Ａｌ０．５...In recent years, the applicatio......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...The new structure of high-performance In_ (0.3) Ga 0.7 As / In 0.29 Al 0.71 As / GaAsHEMT sho......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,,
来源：光电子学技术 年份：1987
In_(0.53)Ga_(0.47)As作为磷化铟(InP)晶格匹配良好的三元材料,在长波长(0.9～1.6μm)光接收机中的应用已被完全确认。在高速光探测方面,文献中已经报道了多种类型的探测器,如...
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
采用缓变Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ沟道的高性能δ掺杂ＧａＡｓ／Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ ＰＨＥＭＴ近来，ＩｎｘＧａ；－ｘＡｓ三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途ｆ的沟道材料，因为它的有效质量较小，Ｆ一Ｌ间隙较大。据（（ＩＥＥ．Ｄ．Ｌ．）１９９...High-performance δ-doped GaAs /......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
用ＭＭＩＣ构成的Ｗ波段振荡源组件据《１９９４ＥＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇｅｓｔ》报道，Ｈ．Ｗａｎｇ等用三块ＭＭＩＣ芯片研制成一种Ｗ波段（７５～１１０ＧＨＺ）的振荡源组件。第一块ＭＭＩＣ芯片为异质结双极晶体管（ＨＢＴ）压控振荡器（ＶＣＯ），频率为２３．５Ｇ...W-Band Oscillator Source Components Mad......
[期刊论文] 作者：曲兰欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
采用图像抑制有源ＨＥＭＴ混频器的６０ＧＨｚＭＭＩＣ下变频器（ｌＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭＭ．Ｗ。Ｍｏｎｏｌ．Ｃｌｒｃ．Ｓｙｍｐ．）报道，日本ＴａｍｉａＳａｉｔｏ等用ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ工艺技术设计、制作出一种Ｖ波段单片下变频器。...A 60GHz MMIC downconverter (lEE1994Microwave and MM.W.Monol.Clrc.Sy......
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