搜索筛选:
搜索耗时1.7165秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：任丙彦,赵龙,傅洪波,曹中谦,张学强,
来源：半导体学报 年份：2005
对φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进，施加了复合式热屏．对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析，并对该系统的氩气流场进行了数值模拟．研究了复合式热......
[会议论文] 作者：赵龙,赵秀玲,任丙彦,王会贤,张学强,曹中谦,朱惠民,傅洪波,
来源：第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 年份：2004
温场对晶体生长十分重要。本文测量了采用不同热屏热场的熔硅纵向温度梯度，发现加强复合式热屏使熔体纵向温度梯度增加，能有效的提高单晶的生长速率和晶体内在质量。...
[会议论文] 作者：左燕,赵龙,张维连,任丙彦,王会贤,曹中谦,张学强,刘彬国,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电转换效率有直接影响,Si-Al合金层烧结产生的晶格应力对杂质起到有效吸附作用,从而减少......
[会议论文] 作者：霍秀敏,傅洪波,赵秀玲,任丙彦,王会贤,曹中谦,张学强,刘彬国,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
为研究太阳电池硅片中碳对氧沉淀的影响,以及热处理对少子寿命的影响,实验中采用氧含量相差较小,碳含量差别较大的p型(100)直拉硅(Cz-Si)片,设计了不同温度、气氛的热处理工...
[会议论文] 作者：王敏花,高魏峰,刘晓平,李彦林,羊建坤,任丙彦,曹中谦,魏亚涛,周永,路建磊,
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si:H和c-Si的界面,从而提高电池的转换效率.制备a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅片为250μm厚,电阻率为1Ω·cm,晶向为(100)的n型CZ-Si片.首先对c-Si片进行RCA清洗,然后将清洗好的n型CZ-Si片烘干,真空蒸发铝,蒸铝......
[会议论文] 作者：左燕[1]赵龙[1]张维连[1]任丙彦[1]王会贤[2]曹中谦[2]张学强[2]刘彬国[2],
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电...
[会议论文] 作者：王敏花[1]高魏峰[2]刘晓平[1]李彦林[1]羊建坤[1]任丙彦[1]曹中谦[2]魏亚涛[2]周永[2]路建磊[2],
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si:H和c-Si的界面,从而提高电池的转换效率.制备a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅片为250μm厚,电阻率为1Ω·cm,晶向为(100)...
相关搜索：
