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[学位论文] 作者：曾玉刚,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2008
Si基微电子学在计算机、通信、自动控制等诸多领域发挥着不可替代的关键作用，但由于电子瓶颈的限制，需要发展Si基光子学。SiGe系材料的能带结构能调整，量子效应可以人工剪裁。利......
[会议论文] 作者：缪国庆,张志伟,曾玉刚,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
短波红外1.0-2.6 μm探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义.目前在InGaAs红外探测器结构设计中,特别是半导体光伏型红外探测器中,都采用p-i-n结构,盖层分别是p型InAsP或InAlAs,吸收层即i层是不同组分的InGaAs,n层是InP衬底,探测范围是由盖层......
[会议论文] 作者：张志伟,曾玉刚,缪国庆,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
红外探测技术是红外光电技术的核心,其研究进展决定一个国家红外光电技术的发展水平.众所周知,工作在1～2.6μm的近红外探测器件,在军用、民用及航空航天等领域都具有重要的应用价值和前景.InGaAs探测器是近年来最具发展前景的近红外探测器,而探测范围窄和较高暗......
[期刊论文] 作者：曾玉刚,韩根全,余金中,
来源：半导体学报 年份：2008
使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20-25nm的光致量子点（LIQD）,远小于退火前的量子点大小.LIQD的密度约为6×10^10cm^-2.分析...
[会议论文] 作者：曾玉刚;宁永强;刘云;王立军;,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
基于相干布居捕获(Coherent Population Trapping)原理的微型原子钟(Chip Scale Atomic Clock)必须使用高温工作(约85℃)的垂直腔面发射激光器(VCSELs)作为光源.本文从VCSELs...
[期刊论文] 作者：曾玉刚,韩根全,余金中,,
来源：半导体学报 年份：2008
生长温度对SiGe合金的性能有重要影响.在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法.该生长模式下,通入乙硅烷时腔内的生长气压约为10-5Pa,SiGe的最低生长温度...
[期刊论文] 作者：曾玉刚,韩根全,余金中,,
来源：半导体学报 年份：2008
使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20~25nm的光致量子点(LIQD),远小于退火前的量子点大小.LIQD的密度约为6×1010cm-2.分析表明...
[会议论文] 作者：曾玉刚,张建,宁永强,王立军,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
基于相干布居捕获(Coherent Population Trapping)原理的铷微型原子钟(Chip Scale Atomic Clock)在精确授时、二代卫星导航等军民用都有广泛用途和市场，其中核心元件之一是能在约80℃高温下稳定工作的波长为795nm的垂直腔面发射激光器(VCSELs)光源。本文从VCSELs......
[期刊论文] 作者：赵旭,缪国庆,张志伟,曾玉刚,
来源：发光学报 年份：2015
设计并模拟计算了延伸波长至2.6μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器。研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖...
[会议论文] 作者：汪丽杰,佟存柱,曾玉刚,王立军,
来源：2011全国光电子与量子电子学技术大会 年份：2011
我们采用传输矩阵和Bloch波理论，对布拉格反射波导进行了分析，设计并优化了布拉格反射波导激光器结构。器件由MOCVD生长，实验制备的脊型布拉格反射波导激光器在15℃温度、连续工作条件下阈值电流仅为15．3 mA(阈值电流密度为451 A/cm2)，阈值电流特征温度T0高达327 K。......
[会议论文] 作者：佟存柱,汪丽杰,曾玉刚,王立军,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
大功率半导体激光器在泵浦、材料加工、医疗及国防等领域具有广阔的应用前景.但传统半导体激光器的垂直光束发散角半高全宽(FWHM)通常在30°-60°之间,需要采用高数值孔径的非球面透镜进行准直,成本很高.另外,半导体激光器的水平发散角通常在10°左右,输出光束......
[期刊论文] 作者：韩智明,缪国庆,曾玉刚,张志伟,
来源：发光学报 年份：2015
利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法在GaAs（100）单晶衬底上外延生长InxGa1-xAs材料。通过扫描电子显微镜（SEM）与原子力显微镜（AFM）观察了缓冲层厚度对外延层表面形貌、表面粗糙度的影......
[期刊论文] 作者：徐华伟,宁永强,曾玉刚,张星,秦莉,,
来源：光学精密工程 年份：2013
设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,用于解决852nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型,计算并模拟对比了InAlGa...
[期刊论文] 作者：张星,宁永强,曾玉刚,秦莉,刘云,王立军,,
来源：光学精密工程 年份：2011
为了提高980nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）列阵的整体性能,对列阵单元器件的分布布拉格反射镜（DBR）的反射率进行了优化。分析了DBR的反射率与阈值电流,输出功率及转换效率之间的关......
[期刊论文] 作者：徐华伟,张金龙,宁永强,曾玉刚,张星,
来源：发光学报 年份：2011
通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs（001）衬底上生长了多层AlxGa1-xAs结构。选择最适合在线监测...
[期刊论文] 作者：王立军,宁永强,秦莉,刘云,张星,曾玉刚,,
来源：中国科技成果 年份：2013
...
[期刊论文] 作者：徐华伟,张金龙,宁永强,曾玉刚,张星,,
来源：发光学报 年份：2011
通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs(001)衬底上生长了多层AlxGa1-xAs结构。选择最适合在线监...
[期刊论文] 作者：曾玉刚,韩根全,余金中,成步文,王启明,,
来源：真空 年份：2007
本文介绍了中国科学院半导体研究所的双生长室超高真空化学气相淀积系统的工作原理、技术参数、结构、性能及特点。该系统具有双生长室、引入准分子激光和多态源等主要优点,...
[期刊论文] 作者：张建,宁永强,张建伟,张星,曾玉刚,王立军,,
来源：光学精密工程 年份：2014
针对铷（^R7 Rb）原子钟激励光源微型化和高温工作的特殊需求，设计并制备了对应铷原子能级跃迁的795nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。首先，根据k·p理论计算了InAlGaAs／AlGaAs量子阱......
[会议论文] 作者：汪丽杰[1]佟存柱[2]曾玉刚[2]王立军[2],
来源：2011全国光电子与量子电子学技术大会 年份：2011
我们采用传输矩阵和Bloch波理论，对布拉格反射波导进行了分析，设计并优化了布拉格反射波导激光器结构。器件由MOCVD生长，实验制备的脊型布拉格反射波导激光器在15℃温度、连续工......
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