搜索筛选:
搜索耗时1.9347秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 10 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：赵争鸣, 施博辰, 朱义诚,,
来源：高电压技术 年份：2004
高压大容量电力电子装置与系统正成为新一代电网系统和大型电力牵引系统中的关键核心设备。实现对电能可靠变换与传输的精确控制,是大容量电力电子装置和系统中的核心问题。...
[期刊论文] 作者：赵争鸣,施博辰,朱义诚,
来源：北京电力电子学会2017电力电子论坛 年份：2017
该文通过对电力电子系统起源及定义的历史演绎,探讨了电力电子学的内涵和外延及其未来走向,分析了电力电子发展脉络、微电子与电力电子的关系及差异、以及电力电子未来的发展...
[期刊论文] 作者：赵争鸣, 施博辰, 朱义诚,
来源：高电压技术 年份：2019
...
[期刊论文] 作者：施博辰,赵争鸣,蒋烨,朱义诚,,
来源：电工技术学报 年份：2017
开关模式是电力电子系统实施电磁能量变换的基本模式,功率半导体器件的开关特性则成为这种能量变换的关键属性.从开关特性的角度出发,基于对器件开关特性和对电力电子系统多...
[期刊论文] 作者：朱义诚,赵争鸣,王旭东,施博辰,,
来源：电工技术学报 年份：2017
相较于硅（Si）器件,碳化硅（SiC）器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性,对其瞬态建模的精度提出更高的要求.通过功率开关......
[期刊论文] 作者：王旭东,朱义诚,赵争鸣,陈凯楠,,
来源：电工技术学报 年份：2017
在电力电子系统中,碳化硅(Si C)MOSFET的开关特性易受系统杂散参数的影响,表现为电磁能量脉冲形态属性的非理想特性,并进一步影响系统效率和可靠性。针对Si C MOSFET,首先分...
[期刊论文] 作者：贾圣钰,赵争鸣,施博辰,朱义诚,
来源：电工技术学报 年份：2021
随着半导体器件功率等级提高、开关速度加快,开关过程引起的电磁干扰(EMI)问题也日渐突出。与传统的EMI问题不同,电力电子系统的EMI问题由功率半导体器件的开关瞬态过程引起,...
[期刊论文] 作者：施博辰, 赵争鸣, 朱义诚, 虞竹珺, 鞠佳禾,,
来源：高电压技术 年份：
高压大容量电力电子装置在国民经济发展中的需求正在日益增大。然而,由于高压大容量电力电子系统往往由多个变换单元组合而成,结构复杂,时间尺度跨度大,呈现出典型的混杂系统...
[期刊论文] 作者：赵争鸣,施博辰,朱义诚,鞠佳禾,虞竹珺,
来源：科技纵览 年份：2020
随着能源互联网系统工程的不断推进,电力电子设备的功能越来越复杂,功率等级也随之提高,大功率电力电子系统在可再生能源、微电网配电、电气化交通以及超快速充电等新兴领域...
[期刊论文] 作者：施博辰,赵争鸣,朱义诚,虞竹珺,鞠佳禾,
来源：中国电机工程学报 年份：2021
电力电子系统是典型的连续状态与离散事件相互混杂的动力学系统,呈现出突出的多时间尺度特性.对其开展建模和仿真时,目前的方法沿用纯连续系统的“时间离散”和“时间驱动”...
相关搜索：
