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[期刊论文] 作者：李辉,朱哲研,姚然,王晓,刘人宽,余越,赖伟,
来源：中国电机工程学报 年份：2020
现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大了器件高频工况下的开关损耗。对此，本文提出了一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首先，基于封装结构，评估现有......
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