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[学位论文] 作者：朱庆玮,,
来源：西安电子科技大学 年份：2010
AlGaN/GaN HEMT由于具有击穿电压高、电子漂移速度快和载流子浓度大等特点,已被越来越多地应用于高频及大功率领域。其微波大功率特性自1993年以来有了很大的提高,但是仍然存...
[学位论文] 作者：朱庆玮,,
来源： 年份：2013
随着整个全球现代科学的高速发展，尤其是信息沟通、高速运算、信息传递、网络通信、自动化办公和控制等相关的技术的应用和普及，智能小区这个鲜明的概念，也开始逐步的融入了我们......
[期刊论文] 作者：许志豪,张进成,张忠芬,朱庆玮,段焕涛,郝跃,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
AlGaN/GaN heterostructures on vicinal sapphire substrates and just-oriented sapphire substrates (0001) are grown by the metalorganic chemical vapor deposition m...
[期刊论文] 作者：许志豪,张进成,段焕涛,张忠芬,朱庆玮,徐浩,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2009
The stresses,structural and electrical properties of n-type Si-doped GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are systemically studied....
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