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[会议论文] 作者：朱景兵,
来源：第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2012
本文讨论晶硅太阳组件在实验室测试和实际使用过程中发生的几种失效机制及由此导致的功率衰减、部件损坏、安全隐患，分析了这些失效机制的可能原由，并对列举的失效机制在设计、选料、生产和使用过程中的防范措施给出了建议，指出为确保组件的质量主要由组件的物料匹......
[会议论文] 作者：朱景兵,
来源：2014第十届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2014
光伏发电对电网调频与运行的影响 太阳能资源具有间歇性、波动性、周期性等特点.当光伏发电在电源中的比例不断增大的时候,将对电网造成很大的冲击,成为光伏发展的瓶颈.为了突破光伏发展的瓶颈,我们需要考虑 如何解决光伏发电的短期功率波动问题、如何利用光伏......
[会议论文] 作者：朱景兵,
来源：第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2012
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[期刊论文] 作者：朱景兵,陆卫,
来源：半导体学报 年份：1992
本文首次报道半磁半导体Zn_(0.97)Co_(0.03)S和Zn_(0.95)Co_(0.05)Se中铁杂质的红外吸收光谱.对Zn_(0.97)Co_(0.03)S:Fe,实验发现了 ZnS中 Fe~(2+d)电子跃迁谱中未观察到的位...
[会议论文] 作者：梁哲,朱景兵,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
随着光伏发电的快速发展,全球光伏组件的制造与安装量成爆炸式上升,可以预见在不久的将来,废旧光伏组件,特别是晶体硅光伏组件的处理将成为各国需要面临的环境问题.欧盟已经将光伏组件纳入了废旧电子电器指令(WEEE),并成立了“PVCYCLE”和“CERES cycle”等回收......
[会议论文] 作者：梁哲,朱景兵,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
能效标识一种信息标签,表示产品能源效率等级,能源消耗量等指标,其划分依据为相应的能效标准.能效标识已经成为常见的产品标签之一,越来越频繁的出现在日常生活中.能效标识制度能以较少的投入,影响用户在消费过程中选择节能产品,从而促进资源节约和环境保护.我......
[期刊论文] 作者：程文超,朱景兵,
来源：半导体学报 年份：1994
在ＧａＡｓ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结中，我们观察到二维热电子的负磁阻效应，随着电场强度的增加，负磁阻效应增强，对我们的样品而言，△σ／σ（０）的幅度可达２０％以上，一个简单的理论分析表明：实验结果能够被弱磁场中的电子......
[期刊论文] 作者：朱景兵,刘普霖,
来源：半导体学报 年份：1992
首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman...
[会议论文] 作者：梁哲,王国峰,朱景兵,
来源：第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 年份：2014
铝背场附着力是晶体硅太阳电池一项重要的性能指标,附着力过低,容易造成铝背场与电池片脱层;附着力过高,容易引起太阳电池弯曲变形.本文探讨了影响铝背场附着力的因素,分析了...
[会议论文] 作者：朱景兵,王国峰,王贺,
来源：第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2013
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[期刊论文] 作者：龚海丹, 王国峰, 朱景兵,,
来源：太阳能 年份：2015
主要针对晶体硅太阳电池在生产过程、实验室测试和实际运行的不同阶段所观察到的4种不同类型的缺陷黑片，通过红外线（IR）、电致发光（EL）、反向偏压致发光（REBEL）和能谱仪（EDX）等手段进......
[期刊论文] 作者：朱景兵,邬建根,屈逢源,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出...
[期刊论文] 作者：褚幼令,汪根荣,朱景兵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文报导了用微波介质波导反射法无接触测量半导体电阻率的实验装置.利用该装置测量了一组样品的电阻率与温度(100～500K)关系,讨论了载流子迁移率与温度关系和Dorkel的半经验...
[会议论文] 作者：王国峰,蒋月,韦应刚,龚海丹,朱景兵,
来源：第13届中国光伏大会 年份：2013
在清晨或是雨天,经常会遇到由于光伏系统泄漏电流过大而导致的逆变器跳闸保护的故障.本文研究了周围环境温度、相对湿度、光照等因素,对晶体硅光伏组件绝缘电阻的影响,调查了出现此类问题的根本原因,分析了针对晶硅组件绝缘性能标准测试要求和实际应用之间的差......
[期刊论文] 作者：马碧兰,邬建根,屈逢源,朱景兵,张继昌,
来源：稀有金属 年份：1991
硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。19...
[期刊论文] 作者：张继昌,邬建根,马碧兰,屈逢源,朱景兵,
来源：稀有金属 年份：1991
高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm-1的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO2层中...
[期刊论文] 作者：朱景兵,陆卫,刘普霖,史国良,沈学础,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The absorption spectra of ternary mixed crystal Zn0.97Co0.03.S SMSC have been measured by using a Fourier transform spectrometer and a high field sup3rconductin...
[期刊论文] 作者：朱景兵, 刘普霖, 史国良, 刘卫军, 沈学础,,
来源：半导体学报 年份：2004
首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman...
[期刊论文] 作者：俞志毅,黄叶肖,朱景兵,陆卫,沈学础,Eugene E.Haller,
来源：科学通报 年份：1990
一、引言 超纯半导体不仅在核辐射及红外辐射探测等方面有重要应用,而且对半导体浅杂质态研究亦具有积极意义。由于超纯半导体中浅杂质含量极微,所有传统的杂质检测方法已难...
[期刊论文] 作者：郑国祥,邬建根,王昌平,朱景兵,屈逢源,周寿通,
来源：半导体学报 年份：1990
采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探...
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