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[期刊论文] 作者：朱潮通,徐向宇,曹沛,江锐,
来源：电力电子技术 年份：2020
采用新一代半导体开关器件碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过新型平面式布局升压技术和优化同步触发电路,设计出一种可获得快上升沿、短脉冲的直线变压...
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