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[学位论文] 作者：李丛昱,,
来源：长春理工大学 年份：2011
ZnSe是一种具有直接能隙(2.7eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,由于在半导体器件的应用中具有相当大的潜能,如可以作为太阳能电池的窗口材料,特别是以化学气相沉积法、分子束外...
[学位论文] 作者：李丛昱,
来源：长春理工大学 年份：2011
ZnSe是一种具有直接能隙(2.7eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，由于在半导体器件的应用中具有相当大的潜能，如可以作为太阳能电池的窗口材料，特别是以化学气相沉积法、分子束外延法......
[期刊论文] 作者：王贺,魏长平,彭春佳,程果,李丛昱,,
来源：硅酸盐通报 年份：2012
采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明：经过热处理后样...
[期刊论文] 作者：王贺,魏长平,彭春佳,李丛昱,程果,,
来源：硅酸盐通报 年份：2012
采用溶胶-凝胶结合旋转涂膜法在玻璃基底上制备SiO2薄膜,研究了陈化时间和旋涂速度对SiO2膜增透性能的影响,利用热分析仪、X射线衍射仪、红外光谱仪、扫描电镜、分光光度计、...
[期刊论文] 作者：王贺,魏长平,彭春佳,程果,蔡永秀,李丛昱,,
来源：硅酸盐学报 年份：2012
采用溶胶–凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2(SnO2:Sb)透明导电薄膜。研究了Sb掺杂量、镀膜次数、热处理温度对SnO2:Sb薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪、Fourie...
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