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[期刊论文] 作者：董国胜,陆春明,李喆深,王迅,
来源：物理学报 年份：1992
本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8A的硫化物钝化层,它对防止...
[期刊论文] 作者：葛毓青,李喆深,胡际璜,戴道宣,
来源：仪器仪表学报 年份：1990
首次建成了国产反光电子谱仪的自动化数据采集及处理系统。整个测量装置由Apple Ⅱ微机、计数器、PIO 和A/D、D/A 卡等电路组成。For the first time built a domestic ref...
[期刊论文] 作者：陆春明,李喆深,董国胜,任静,龚雅谦,
来源：物理学报 年份：1992
本文应用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对化学腐蚀和硫处理的InSb表面进行了研究。实验中发现经过CP-4腐蚀以后在样品的表面生成了InSb的氧化层,氧化层中的组分是锑的氧化物...
[期刊论文] 作者：王杰,李喆深,蔡群,陆春明,沈军,王迅,
来源：半导体学报 年份：1992
本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及...
[期刊论文] 作者：曹先安,陈溪滢,李喆深,丁训民,侯晓远,
来源：半导体学报 年份：1997
本文研究了不同条件下S2Cl2对GaAs晶体的腐蚀行为，特别是溶液浓度、温度以及摇动程度等几个重要因素对腐蚀作用的影响．在此基础上提出了S2Cl2处理的较佳条件：对于S2Cl2钝化，应选......
[期刊论文] 作者：范洪雷,侯晓远,李喆深,张甫龙,俞鸣人,王迅,
来源：半导体学报 年份：1995
采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、......
[期刊论文] 作者：李喆深,蔡卫中,苏润洲,侯晓远,董国胜,金晓峰,丁训民,王迅,
来源：半导体学报 年份：1994
本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明......
[期刊论文] 作者：曹先安,陈溪滢,李喆深,苏润洲,丁训民,侯晓远,钱峰,姚晓峨,陈效建,
来源：半导体学报 年份：1997
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaA......
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