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[期刊论文] 作者:缪翔,万发雨,王磊,李彬鸿,, 来源:计算机仿真 年份:2020
Volterra级数是一种用于解决非线性问题数学模型,在功率放大器线性化领域中,其庞大的计算难度限制了实际线性化处理的效果。为了解决Volterra级数计算量过大的问题,使用谐波探测方法替代Volterra级数,使用多个简单多项式对功率放大器复杂的记忆非线性特性进行建......
[期刊论文] 作者:赵丹, 陈军, 万发雨, 于兵, 李彬鸿,, 来源:现代雷达 年份:2004
设计了一款工作于1.6 GHz~20 GHz的高增益对跖Vivaldi天线,该天线在常规对跖Vivaldi天线的左右两端加载半椭圆贴片结构,改善低频驻波比特性,进而提高了天线的阻抗带宽;在天线...
[期刊论文] 作者:缪翔,万发雨,王磊,李彬鸿, 来源:电讯技术 年份:2019
数字预失真系统中,高精度预失真通常需求高阶多项式,而高阶多项式会导致预失真计算量的急剧上升。针对记忆多项式级数与预失真精度的矛盾,提出了一种基于参数选择的数字预失...
[期刊论文] 作者:赵星,郑中山,李彬鸿,高见头,于芳,, 来源:Chinese Physics C 年份:2015
The total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator(SOI)pMOSFETs have been studied by comparing them with those of t...
[期刊论文] 作者:杨尊松,王立新,肖超,陆江,李彬鸿,, 来源:电子设计工程 年份:2016
文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参...
[期刊论文] 作者:程泽军, 李彬鸿, 李博, 罗家俊, 韩郑生,, 来源:微电子学与计算机 年份:2019
采用0.18μmCMOS工艺设计了一种由数字信号控制的神经元电路.相比于传统神经元电路,本电路不需要偏置电压,控制简单,便于大规模集成.在数字信号的控制下,本电路可以方便地实...
[期刊论文] 作者:程泽军, 李彬鸿, 李博, 罗家俊, 韩郑生,, 来源:微电子学 年份:2004
设计一种具有多种神经元响应模式、结构紧凑、低功耗的神经元电路,对大规模神经形态硬件的构建具有重要意义。分析了LIF、Izhikevich两种神经元模型的基本原理,重点介绍了数...
[期刊论文] 作者:黄云波, 李博, 杨玲, 郑中山, 李彬鸿, 罗家俊,, 来源:微电子学与计算机 年份:2018
本文利用Sentaurus TCAD仿真软件对体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应(TID)进行了详细的数值模拟研究.基于良好校准后的器件模型,仿真结果表明:高沟道阻挡层掺杂浓度,大鳍......
[期刊论文] 作者:吴驰,毕津顺,李博,李彬鸿,罗家俊,韩郑生,, 来源:太赫兹科学与电子信息学报 年份:2016
单粒子瞬态脉冲宽度是评价电子系统软错误率的重要参数之一.针对0.13μm、部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺下的反相器链,解析地计算了反相器中产生的单粒子瞬态脉冲宽度,仿...
[期刊论文] 作者:吴旭景, 王蒙军, 吴建飞, 李彬鸿, 郝宁, 高见头, 李, 来源:电波科学学报 年份:2021
考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度...
[期刊论文] 作者:郝宁, 罗家俊, 刘海南, 李彬鸿, 吴利华, 于芳, 刘忠, 来源:宇航学报 年份:2004
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间...
[期刊论文] 作者:王磊, 李博, 张学文, 李彬鸿, 罗家俊, 刘新宇, 袁清, 来源:微处理机 年份:2019
针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二...
[期刊论文] 作者:王典,李博,赵宇红,李彬鸿,罗家俊,林雪芳,阿拉·布鲁诺, 来源:微电子学 年份:2017
将滑模控制算法应用于Buck转换器的控制中,获得了快的收敛速度和良好的鲁棒性.这种控制策略可在FPGA上实现.为实现滑模控制算法,提出了一种基于拓扑结构的观测器,解决了传统...
[期刊论文] 作者:杨尊松, 王立新, 肖超, 宋李梅, 罗小梦, 李彬鸿, 陆江,, 来源:微电子学 年份:2017
[期刊论文] 作者:吴建飞,郑亦菲,李彬鸿,张红丽,赵星,刘培国, 来源:安全与电磁兼容 年份:2022
车规级芯片电磁兼容(EMC)技术关乎汽车特定电子系统及其周围电子系统运行的安全可靠性,目前国内缺少可以筛选具有良好电磁兼容性能的汽车电子芯片的标准方法,以及提前预测芯片EMC性能的模拟建模方法。文章基于国内外资料调研和课题组的研究成果,综述了车规级芯片在EM......
[期刊论文] 作者:郝宁, 罗家俊, 刘海南, 李彬鸿, 吴利华, 于芳, 刘忠利,, 来源:宇航学报 年份:2018
[期刊论文] 作者:杨尊松,王立新,肖超,宋李梅,罗小梦,李彬鸿,陆江,孙博韬,, 来源:微电子学 年份:2017
通过交流电导法,对经过不同时间N_2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N_2O RTP对Si-SiO_2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影...
[期刊论文] 作者:郝宁,罗家俊,刘海南,李彬鸿,吴利华,于芳,刘忠利,高见头,, 来源:宇航学报 年份:2018
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间...
[期刊论文] 作者:吴旭景,王蒙军,吴建飞,李彬鸿,郝宁,高见头,李宏,张红丽, 来源:电波科学学报 年份:2019
[期刊论文] 作者:解冰清,李博,毕津顺,卜建辉,吴驰,李彬鸿,韩郑生,罗家俊,, 来源:Chinese Physics B 年份:2016
The experimental results of the cryogenic temperature characteristics on 0.18-μm silicon-on-insulator(SOI) metaloxide-silicon(MOS) field-effect-transistors(FET...
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