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[期刊论文] 作者：李无瑕,
来源：中国保健营养 年份：2017
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[期刊论文] 作者：李无瑕,
来源：医学信息 年份：2015
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[期刊论文] 作者：李无瑕,邓勇,
来源：中国医院 年份：2021
目的:为国内公立医院改革提供参考与借鉴.方法:通过文献、外国法律政策等查询及对比分析等方法,对英国社会力量参与公立医院改革的具体内容进行分析.结果:英国公立医院改革中对社会力量的范围和公立医院的范围均有所界定,英国政府采取直接管制和间接管制并重的......
[会议论文] 作者：牟佳佳,李家方,李无瑕,顾长志,
来源：中国物理学会2013年秋季学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：崔阿娟,李无瑕,刘哲,顾长志,
来源：中国物理学会2012年秋季学术会议 年份：2012
密封纳米沟道具有很广泛的应用前景,包括DNA 探测,药物输运,新能源电池等.各种材料在纳米沟道中的输运、流动和反应等行为也具有极为重要的基础研究意义.目前制备纳米通道的...
[会议论文] 作者：郑坚斌,刘训春,王润梅,李无瑕,钱永学,杨雪莹,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文比较了SF对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准....
[期刊论文] 作者：崔阿娟,刘哲,董焕丽,王玉瑾,甄永刚,李无瑕,李俊杰,顾长志,胡文平,,
来源：Science China Materials 年份：2015
纳米尺度分子器件是最有可能实现超高密度集成电路的途径之一,而纳米间隙电极对的制备是分子器件的构筑基础.本文利用热处理诱导晶间断裂现象来进行纳米间隙电极对的构筑.通...
[期刊论文] 作者：刘训春,陈俊,王润梅,王惟林,李无瑕,李爱珍,陈建新,陈意桥,陈晓杰,杨全魁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3...
[期刊论文] 作者：王跃辉,张雪强,何晓锋,高路,于涛,张强,黎红,李春光,顾长志,李俊杰,李无瑕,何豫生,,
来源：低温物理学报 年份：2010
本文中,我们介绍一个中心频率大约为2.015GHz,相对带宽小于0.35%,通带内回波损耗大于20dB,带外零点高度大约为-45dB,通带内插损小于0.2dB的窄带四阶双模片型高温超导滤波器....
[会议论文] 作者：崔阿娟,刘哲,董焕丽,杨方旭,甄永刚,李无瑕,李俊杰,顾长志,张小涛,李荣金,胡文平,
来源：中国化学会第30届学术年会 年份：2016
纳米间隙电极对是构筑分子器件如单分子晶体管的重要手段[1]，以往的制备工艺往往需要借助昂贵的微加工技术如电子束曝光等[2]。这里我们报道了一种简易大批量制备纳米间隙电极对的方法。借助原子层沉积技术所制备的亚纳米精度的三氧化二铝作为牺牲层，结合化学腐蚀......
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