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[学位论文] 作者：李月法,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2001
该文采用MBE生长技术制备了高质量的InAs/InP量子点材料,并对其结构、光学性质等进行了深入系统的分析,取得以下主要成果.(1)在InP(001)衬底上设计了生长InAs纳米结构材料.(2...
[期刊论文] 作者：武光明,李月法,贾锐,
来源：材料研究学报 年份：2002
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电镜观测结果的分析,认为衬底旋转时浸润层三角...
[期刊论文] 作者：袁家铮,王冰,李月法,
来源：矿物岩石地球化学通报 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：武光明,朱江,李月法,贾锐,
来源：材料研究学报 年份：2003
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质.结果表明,两种...
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