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[期刊论文] 作者：徐志伟, 李沛旭, 查礼,,
来源：计算机研究与发展 年份：2008
进入21世纪,计算机科学与技术领域正在面临一次深刻的变革,计算机系统子领域也不例外.指出这次变革的一个主要特征是从“人机共生”跃变到“人机物社会”.这个跃变也为计算机...
[期刊论文] 作者：朱振,李沛旭,张新,王钢,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2014
利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符...
[期刊论文] 作者：朱振,张新,李沛旭,王钢,徐现刚,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Ga In As P layers and Ga As P/(Al) Ga In P laser diodes(LDs) have been grown on Ga As substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The Ga In As P layer...
[期刊论文] 作者：杨扬,孙素娟,李沛旭,夏伟,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2015
采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种...
[期刊论文] 作者：杨扬,于果蕾,李沛旭,夏伟,徐现刚,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2016
结温/热阻是反映激光器器件散热能力的综合参数,与封装焊料层的烧结质量关系密切。本文分别通过正向电压法和波长漂移法,测试计算得到激光器的工作结温,利用扫描声学显微镜分...
[期刊论文] 作者：杨扬,于果蕾,李沛旭,夏伟,徐现刚,
来源：激光与光电子学进展 年份：2016
结温/热阻是反映激光器器件散热能力的综合参数，与封装焊料层的烧结质量关系密切。本文分别通过正向电压法和波长漂移法，测试计算得到激光器的工作结温，利用扫描声学显微镜分析了激光器焊料层中空洞分布；验证了结温测试方法的可行性，并确认了激光器结温与焊料层烧结......
[期刊论文] 作者：蒋锴,李沛旭,张新,汤庆敏,夏伟,徐现刚,,
来源：强激光与粒子束 年份：2014
为改善940nm大功率InGaAs／GaAs半导体激光器输出特性，通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布，并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气...
[期刊论文] 作者：朱振, 肖成峰, 夏伟, 张新, 苏建, 李沛旭, 徐现刚,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
设计并制备了一款短波长红光640nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限制层使用低折射率的AlInP材料,有源区使用张...
[会议论文] 作者：王海卫,张新,汤庆敏,李沛旭,李树强,夏伟,徐现刚,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
利用MOCVD生长Mg掺杂的AIGalnP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AIGaInP/GalnP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术。制作出150 μm条宽1200 μm...
[会议论文] 作者：王海卫,张新,李沛旭,汤庆敏,李树强,夏伟,徐现刚,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
利用MOCVD生长Mg掺杂的AIGalnP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AIGaInP/GalnP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术。制作出150 μm条宽1200 μm腔长的器件。20℃时,连续电流条件下测试其斜率效率达1.10 W/A,阈值电流560 mA,最大输出......
[期刊论文] 作者：李沛旭,夏伟,李树强,张新,汤庆敏,任忠祥,徐现刚,,
来源：半导体技术 年份：2008
设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,...
[期刊论文] 作者：李沛旭, 殷方军, 张成山, 开北超, 孙素娟, 江建民,,
来源：中国激光 年份：2004
通过对大功率激光器腔面光学灾变损伤的研究,分析了激光器腔面镀膜的损伤机理。为了提高激光器的输出功率,采用TiO2替换Si作为高折射率材料,建立非标准膜系降低电场强度,同时...
[期刊论文] 作者：朱振, 张新, 肖成峰, 李沛旭, 孙素娟, 夏伟, 徐现刚,
来源：中国激光 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：刘颖慧,张锦川,江建民,孙素娟,李沛旭,刘峰奇,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
We report on the room-temperature cw operation of a surface grating distributed feedback(DFB) quantum cascade laser(QCL) at λ~4.7μm.Both grating design and ma...
[期刊论文] 作者：蒋锴,李沛旭,张新,李树强,夏伟,汤庆敏,胡小波,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2012
设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有...
MOCVD growth of AlGaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high p
[期刊论文] 作者：李沛旭,王翎,李树强,夏伟,张新,汤庆敏,任忠祥,徐现刚,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2009
In order to improve the characteristics of the general broad-waveguide 808-nm semiconductor laser diode (LD),we design a new type quantum well LD with an asymme...
Influence of the upper waveguide layer thickness on optical field in asymmetric heterostructure quan
[期刊论文] 作者：李沛旭,蒋锴,李树强,夏伟,张新,汤庆敏,任忠祥,徐现刚,,
来源：Chinese Optics Letters 年份：2010
Asymmetric broad-waveguide separate-confinement heterostructure(BW-SCH) quantum well(QW) laser diode emitting at 808 nm is analyzed and designed theoretically.T...
[期刊论文] 作者：李沛旭, 殷方军, 张成山, 开北超, 孙素娟, 江建民, 夏伟,
来源：中国激光 年份：2017
...
[期刊论文] 作者：李沛旭,蒋锴,张新,汤庆敏,夏伟,李树强,任忠祥,徐现刚,
来源：光学学报 年份：2011
针对半导体激光器的能量损耗情况，设计优化了半导体激光器的结构，改进了材料的金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长条件。采用低压MOCVD外延技术生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP应变量子阱大光腔结构，进而设计制作了808 nm大功率连续激光器芯片。25 ℃下，当输入电流10 A时，输出......
[期刊论文] 作者：李沛旭,蒋锴,李树强,夏伟,张新,汤庆敏,任忠祥,徐现刚,
来源：ChineseOpticsLetters 年份：2010
Asymmetric broad-waveguide separate-confinement heterostructure (BW-SCH) quantum well (QW) laser diode emitting at 808 nm is analyzed and designed theoretically. The dependence of the optical field distribution, vertical far-field angle, an......
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