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[期刊论文] 作者：曹全君, 李祖渠, 彭银生, 吴能友, 贾立新,,
来源：电源技术 年份：2013
基于Sentaurus TCAD数值分析平台,采用非晶硅的DOS模型对禁带中缺陷态进行表征,建立a-Si:H薄膜太阳电池的二维数值模型。对P-I-N结构的非晶硅太阳电池的本征区、P型区、N区以...
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