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[学位论文] 作者：李茂宾,
来源：杭州电子科技大学 年份：2022
随着当今科技的飞速发展和第三代半导体的广泛应用,电力电子系统和集成电路系统对功率半导体器件的要求日益提升。4H-Si C结势垒肖特基二极管（Junction Barrier Schottky Diode,4H-Si C JBS）结合了肖特基二极管（Schottky Barrier Diode,SBD）和Pi N二极管两者的优点,......
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