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[学位论文] 作者：杜龙欢,,
来源： 年份：2014
Si/SiO2结构是组成硅基器件和电路的最重要的部分之一,对其性能有着至关重要的影响。在纳米尺度下,一方面Si/SiO2界面结构中的过渡区对界面特性的影响越来越显著,界面缺陷的...
[期刊论文] 作者：杜龙欢,荣丽梅,杜江峰,于庆伟,郑小明,,
来源：微纳电子技术 年份：2013
理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提。梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面...
[会议论文] 作者：杜龙欢,荣丽梅,杜江峰,于庆伟,郑小明,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.本文梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理论计算结果,介绍了Si/SiO2界面原子结构模型及其特点.......
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