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[学位论文] 作者：杨埴,
来源：东北师范大学 年份：2021
忆阻器（Memristor）因其具有独特的非线性电学特性,被认为是构筑阻变存储器（resistance random access memory,RRAM）和神经突触仿生器件最具潜力的硬件设备。近年来,基于有机物掺杂量子点复合薄膜的忆阻器因其优异的阻变特性和柔韧特性备受关注。碳量子点（CQDs）作为一......
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