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[学位论文] 作者：杨孟骐,,
来源：北京工业大学 年份：2020
氮化镓(Ga N)是一种具有直接宽禁带的半导体材料,具有较高的电子迁移率、良好的耐高温能力、优异的抗击穿能力以及出色的抗辐射能力,是第三代半导体中的典型代表。Ga N纳米线具有小尺寸效应以及量子效应等优势,通过对Ga N纳米线进行元素掺杂可以提升其光电性能,......
[期刊论文] 作者：梁琦,杨孟骐,王长昊,王如志,
来源：中国物理B:英文版 年份：2021
The worm-like AlN nanowires are fabricated by the plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD)on Si substrates through using Al powder and N2 as precursors,CaF2 as fluxing medium,Au as catalyst,respectively.The as-grown worm-like AlN na......
[期刊论文] 作者：杨孟骐,赵爽,白晓帆,王如志,
来源：仪器仪表学报 年份：2021
服务机器人行业发展迅速,其核心零部件激光测距组件可靠性直接影响整机性能.本文基于服务机器人的应用环境,对激光测距组件工作特性进行研究,建立了测距组件普适的环境可靠性...
[期刊论文] 作者：梁琦, 杨孟骐, 张京阳, 王如志,
来源：物理学报 年份：2022
采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量和弄清GaN薄膜光响应机制,研究了GaN缓冲层制备温度对GaN薄膜结晶质量和光电性能的影响.研究表明,随着GaN缓冲层制备温度的增加,Ga......
[期刊论文] 作者：梁琦,王如志,杨孟骐,王长昊,刘金伟,
来源：物理学报 年份：2020
采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质量良好的GaN纳米线.研究表明,生长温度可显...
[期刊论文] 作者：杨孟骐,姬宇航,梁琦,王长昊,张跃飞,张铭,王波,王如志,
来源：物理学报 年份：2020
作为最重要的第三代半导体材料之一,纳米氮化镓(Ga N)也引起了人们的广泛关注与重视.本文采用微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD...
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