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[期刊论文] 作者：杨宋源,于伟华,安思宁,Ahmed Hassona,Herb,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
展示了一种基于新型自组装微带波导过渡的D波段(110~170GHz)发射机模块.过渡结构的仿真平均插入损耗为 0.6 dB 回波损耗于带内基本优于 10 dB.基于该过渡结构以及阻性混频器...
[期刊论文] 作者：杨宋源,于伟华,安思宁,Ahmed Hassona,Herb,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
展示了一种基于新型自组装微带-波导过渡的D波段(110～ 170 GHz)发射机模块.过渡结构的仿真平均插入损耗为0.6 dB,回波损耗于带内基本优于10 dB.基于该过渡结构以及阻性混频器...
[期刊论文] 作者：杨宋源,于伟华,安思宁,Ahmed Hassona,Herber,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：刘军, 吕昕, 于伟华, 杨宋源, 侯彦飞,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试...
[期刊论文] 作者：刘军,吕昕,于伟华,杨宋源,侯彦飞,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110~170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测...
[期刊论文] 作者：刘军,于伟华,杨宋源,侯彦飞,崔大胜,吕昕,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
利用改进的小信号模型对采用100 nm InAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模...
[期刊论文] 作者：侯彦飞,刘祎静,李灏,何伟,吕元杰,刘军,杨宋源,王伯武,于,
来源：北京理工大学学报 年份：2020
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolically defined device)为基础,结合宽带S-参数与脉冲直...
[期刊论文] 作者：侯彦飞,刘祎静,李灏,何伟,吕元杰,刘军,杨宋源,王伯武,于伟华,
来源：北京理工大学学报 年份：2020
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolieally defined device)为基础,结合宽带S-参数与脉冲直...
[期刊论文] 作者：王志明,黄辉,胡志富,赵卓彬,王旭东,罗晓斌,刘军,杨宋源,吕昕,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
A quantitative comparison of multiline TRL(thru-reflect-line) and LRM(line-reflect-match) on-wafer calibrations for scattering parameters(S-parameters) measurem...
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