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[学位论文] 作者：杨成绍,
来源：中国科学院近代物理研究所 年份：2009
选择具有重要应用价值的纳米晶硅及非晶硅薄膜材料，对比研究了快重离子辐照薄膜Si材料所引起的辐照效应，主要有如下工作： 1)用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)以及常压化...
[期刊论文] 作者：杨成绍,,
来源：IMP & HIRFL Annual Report 年份：2008
Mono-crystalline silicon(c-Si),thin films of amorphous silicon(a-Si) and nano-crystalline silicon(nc-Si) were irradiated at room temperature(RT) with 94 MeV Xe-...
[期刊论文] 作者：万云海, 邹志翔, 林亮, 杨成绍, 黄寅虎, 王章涛,,
来源：液晶与显示 年份：2019
为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZOTFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Lay...
[期刊论文] 作者：林致远,杨成绍,邹志翔,操彬彬,黄寅虎,文锺源,王章涛,,
来源：液晶与显示 年份：2016
通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）二者有比现行HADS结构（ITO像素电极→源漏极）更高...
[期刊论文] 作者：林致远,马骏,林亮,杨成绍,邹志翔,黄寅虎,文锺源,王章涛,,
来源：液晶与显示 年份：2016
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式（不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例）来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验...
[期刊论文] 作者：臧航,王志光,魏孔芳,孙建荣,姚存峰,申铁龙,马艺准,杨成绍,庞立龙,朱亚斌,,
来源：原子核物理评论 年份：2010
室温下用80keVN离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.01014,5.01015和5.01016ions/cm2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明,由高度(002)择...
[期刊论文] 作者：魏孔芳,王志光,孙建荣,臧航,姚存峰,盛彦斌,马艺准,缑洁,卢子伟,申铁龙,杨成绍,,
来源：原子核物理评论 年份：2004
采用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Si/[Fe(10 nm)/Nb(4 nm)/Fe(4 nm)/Nb(4 nm)]2/ [Fe(4nm)/Nb(4 nm)]4多层膜。用2 MeV的Xe离子在室温下辐照多层膜。采用俄歇深度剖析、X射线...
[期刊论文] 作者：杨成绍,王志光,孙建荣,姚存峰,臧航,魏孔芳,缑洁,马艺准,申铁龙,盛彦斌,朱亚斌,庞立龙,李炳生,张洪华,付云翀,,
来源：原子核物理评论 年份：2010
室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析...
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