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[期刊论文] 作者：杨谟华,于齐,杨沛峰,王向展,恽正中,
来源：半导体学报 年份：1999
On the basis of confirmation of the basic p++|ν|n+- diode structure of Z|element,we start with analyzing the charge transportation theory.According to the act...
[期刊论文] 作者：李竞春,杨沛峰,杨谟华,谭开洲,何林,郑娥,
来源：微电子学 年份：2001
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下薄膜制备技术进行了研究.实验表明,采用适当高温、短时间对PECVD...
[会议论文] 作者：李竞春,杨沛峰,杨谟华,何林,谭开州,郑娥,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研究.实验表明采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火,有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度.同时该技术用于SiGe PMOS研制,其300K......
[期刊论文] 作者：李竞春,杨沛峰,杨谟华,何林,李开成,谭开州,张静,
来源：微电子学 年份：2002
利用分子束外延(MBE) 技术生长了Ge组份为0.1～0.46的Si1-xGex外延层.X射线衍射测试表明,SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面,其它参数也可准确控制.通过X射线双晶...
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